[发明专利]发光二极管的形成方法

说明书

本申请是申请日为2010年1月13日且发明名称为“发光二极管的形成方法”的中国专利申请201010002188.5的分案申请。

技术领域

本发明涉及发光二极管的制造方法，特别是涉及利用牺牲层转换发光二极管的基板的方法。

背景技术

发光二极管的外延薄膜通常是成长于GaAs基板上。由于GaAs基板会吸光，为了改善发光效率，已知的作法会在外延薄膜成长后，将合适的基板与外延薄膜的另一面贴合。之后，再用蚀刻方式将GaAs基板溶解。然而，溶解可再被利用的GaAs基板是相当浪费的作法，而且溶解后所残留的As很容易造成环境的污染。

发明内容

本发明提供可使成长基板保留而重复使用的发光二极管制作方法。

于实施例，本发明提供一种发光二极管的形成方法，包含提供成长基板，依序形成牺牲层及外延层于成长基板上；形成多个外延层开口穿透外延层而露出牺牲层；形成支撑层于外延层上，支撑层具有一或数个支撑层开口穿透支撑层而连通一或数个外延层开口；及选择性蚀刻牺牲层而使成长基板脱离外延层。

于另一实施例，本发明提供一种发光二极管的形成方法，包含提供成长基板，具有一或数个基板开口穿透成长基板；形成牺牲层于成长基板上；形成外延层于牺牲层上，外延层具有一或数个外延层开口穿透外延层；提供承接基板与外延层相接；以及选择性蚀刻牺牲层而使成长基板脱离外延层。

于更另一实施例，本发明提供一种发光二极管的形成方法，包含提供成长基板，依序成长牺牲层及外延层于成长基板上；提供支撑基板，支撑基板具有正面及背面，背面形成一或数个凹槽；将支撑基板的背面接合于外延层；从正面移除支撑基板的一部分以暴露至少一凹槽，并形成一或数个支撑基板开口穿透该支撑基板；以支撑基板为掩模，蚀刻外延层以形成一或数个外延层开口穿透外延层而露出牺牲层；及选择性蚀刻牺牲层而使成长基板脱离外延层。

于再另一实施例，本发明提供一种发光二极管的形成方法，包含提供成长基板，依序成长牺牲层及外延层于成长基板上；提供支撑基板并使支撑基板与暂时基板接合；形成一或数个支撑基板开口穿透支撑基板；将支撑基板接合于外延层；移除暂时基板；以支撑基板为掩模，蚀刻外延层以形成一或数个外延层开口穿透外延层而露出牺牲层；及选择性蚀刻牺牲层而使成长基板脱离外延层。

于再更另一实施例，本发明提供一种发光二极管的形成方法，包含提供成长基板，依序成长牺牲层及外延层于成长基板上；提供支撑基板；形成一或数个支撑基板开口穿透支撑基板；将支撑基板接合于外延层；以支撑基板为掩模，蚀刻该外延层以形成一或数个外延层开口穿透外延层而露出牺牲层；及选择性蚀刻牺牲层而使成长基板脱离外延层。

本发明尚包含其他方面以解决其他问题并合并上述的各方面详细披露于以下实施方式中。

附图说明

图1A及1A’至图1E及1E’显示依据本发明实施例的发光二极管190制作过程中各步骤的剖面图与俯视图。

图2A及2A’至图2D及2D’显示依据本发明实施例的发光二极管290制作过程中各步骤的剖面图与俯视图。

图3A及3A’至图3F及3F’显示依据本发明实施例发光二极管390制作过程中各步骤的剖面图与俯视图。

图4A及4A’至图4E及4E’显示依据本发明实施例发光二极管490制作过程中各步骤的剖面图与俯视图。

图5A及5A’至图5E及5E’显示依据本发明实施例发光二极管590制作过程中各步骤的剖面图与俯视图。

附图标记说明

100,200,300,400,500        成长基板

201                        基板开口

202                        成长基板部分

120,220,320,420,520        牺牲层

221                        牺牲层开口

222                        牺牲层部分

140,240,340,440,540        外延层

190,290,390,490            发光二极管

141,141a,141b,141c,241,341,441,541  外延层开口

142,142a,142b,142c,242,342,442,542  外延层部分