[发明专利]发光二极管的形成方法

权利要求书

1.一种发光二极管的形成方法，包含：

提供成长基板，具有一或数个基板开口穿透该成长基板；

形成牺牲层于该成长基板上；

形成外延层于该牺牲层上；

提供承接基板与该外延层相接；以及

选择性蚀刻该牺牲层而使该成长基板脱离该外延层。

2.如权利要求1所述的发光二极管的形成方法，其中该一或数个基板开口四周的成长基板相互连接。

3.如权利要求1所述的发光二极管的形成方法，其中形成该牺牲层的该步骤包含使该牺牲层具有一或数个牺牲层开口穿透该牺牲层而连通该一或数个基板开口。

4.如权利要求3所述的发光二极管的形成方法，其中该牺牲层开口四周的牺牲层相互连接。

5.如权利要求3所述的发光二极管的形成方法，其中选择性蚀刻该牺牲层的该步骤包含使蚀刻剂经由该一或数个基板开口与该一或数个牺牲层开口接触该牺牲层。

6.如权利要求5所述的发光二极管的形成方法，其中该成长基板包含氮、铝、镓、砷、锌、硅、氧中至少其一；该牺牲层包含铝、砷中至少其一；该承接基板包含玻璃、金属、半导体材料、塑胶、陶瓷中至少其一；且该蚀刻剂包含柠檬酸。

7.如权利要求1所述的发光二极管的形成方法，更包含移除部分外延层。

8.如权利要求7所述的发光二极管的形成方法，其中该外延层被移除的部分与该一或数个牺牲层开口相接。

9.如权利要求7所述的发光二极管的形成方法，其中移除部分外延层的步骤使得该牺牲层露出。

10.如权利要求7所述的发光二极管的形成方法，其中移除部分外延层的步骤包含形成阵列式排列、或随机分布的开口。