[发明专利]一种阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

通过一次构图工艺在基板上形成半导体有源层图案，位于所述半导体有源层图案两侧的第一图案、位于预定区域的所述第一图案一侧的第二图案、以及位于其余区域的所述第一图案一侧的第三图案；

对所述第二图案处的半导体进行一次掺杂工艺，形成第一导电类型的半导体；

对所述第一图案处的半导体进行一次轻掺杂工艺；

在完成前述步骤的基板上依次形成栅绝缘层，包括栅极图案的栅金属层，以及保护层；并通过一次构图工艺形成位于所述栅绝缘层的第一过孔和位于所述保护层的第二过孔；所述第一过孔和所述第二过孔至少露出所述第三图案；

对所述第三图案处的半导体进行一次掺杂工艺，形成第二导电类型的半导体；

在完成前述步骤的基板上形成包括源漏极图案的源漏金属层，以及与所述漏极图案电连接的像素电极图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺在基板上形成半导体有源层图案，位于所述半导体有源层图案两侧的第一图案、位于预定区域的所述第一图案一侧的第二图案、以及位于其余区域的所述第一图案一侧的第三图案包括：

在基板上形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上形成光刻胶；

利用三色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影，刻蚀后形成所述半导体有源层图案，以及位于所述半导体有源层图案两侧的第一图案、位于预定区域的所述第一图案一侧的第二图案、以及位于其余区域的所述第一图案一侧的第三图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用三色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影，刻蚀后形成所述半导体有源层图案，以及位于所述半导体有源层图案两侧的第一图案、位于预定区域的所述第一图案一侧的第二图案、以及位于其余区域的所述第一图案一侧的第三图案包括：

利用三色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分、第一光刻胶半保留部分、第二光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分，所述第一光刻胶半保留部分的厚度大于所述第二光刻胶半保留部分的厚度；其中，所述光刻胶完全保留部分对应待形成的所述半导体有源层图案和所述第三图案，所述第一光刻胶半保留部分对应待形成的所述第一图案，所述第二光刻胶半保留部分对应待形成的所述第二图案，所述光刻胶完全去除部分对应其他区域；

利用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分的多晶硅，形成所述半导体有源层图案，以及位于所述半导体有源层图案两侧的第一图案、位于预定区域的所述第一图案一侧的第二图案、以及位于其余区域的所述第一图案一侧的第三图案；

采用第一次灰化工艺去除所述第二光刻胶半保留部分的光刻胶；

采用第二次灰化工艺去除所述第一光刻胶半保留部分的光刻胶；

采用灰化工艺或剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述第二图案处的半导体进行一次掺杂工艺，形成第一导电类型的半导体包括：

在采用第一次灰化工艺去除所述第二光刻胶半保留部分的光刻胶之后，采用第二次灰化工艺去除所述第一光刻胶半保留部分的光刻胶之前，对露出的所述第二图案处的半导体掺杂第一杂质，形成第一导电类型的半导体。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述第一图案处的半导体进行一次轻掺杂工艺包括：

在采用第二次灰化工艺去除所述第一光刻胶半保留部分的光刻胶之后，采用灰化工艺或剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶之前，对露出的所述第一图案处的半导体进行一次轻掺杂工艺。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一过孔和所述第二过孔至少露出所述第三图案包括：所述第一过孔和所述第二过孔露出所述第二图案和所述第三图案；

所述对所述第三图案处的半导体进行一次掺杂工艺，形成第二导电类型的半导体包括：对露出的所述第二图案和所述第三图案处的半导体掺杂第二杂质，在所述第三图案处形成第二导电类型的半导体；其中，所述第二杂质的掺杂量小于所述第一杂质的掺杂量。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二杂质的掺杂量为所述第一杂质的掺杂量的一半。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，第一杂质为硼或磷；相应的，所述第二杂质为磷或硼。