[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置。

背景技术

在用于在被处理体上实施成膜处理等处理的基板处理装置中，为了对构成处理容器的多个构成构件之间进行密封而利用O形环等密封构件。在专利文献1中记载有利用O形环对固定于钟形罩（日文：ベルジャ）的外环和配置有基座的底座（日文：ベースプレート）之间进行密封的立式外延生长装置。

通过利用O形环而对构成构件彼此之间进行密封。但是，若在构成构件彼此之间存在微小的间隙，则有时处理气体进入该间隙而在O形环上产生沉积物。若在O形环上产生沉积物，则构成构件彼此之间的密封性变差，处理容器的气密性变差。

因此，在专利文献1中，为了防止在O形环上附着反应生成物、即、防止在O形环上产生沉积物，而在外环和底座之间的间隙中设置圆环状的槽，根据外延生长的顺序经由该槽向上述间隙喷出用于对反应气体进行吹扫的气体。由此，在专利文献1中抑制了处理容器的气密性变差。

专利文献1：日本实公平6－459号公报

此外，在专利文献1中，由钟形罩和底座构成用于收容多个被处理体的较大的处理容器。在较大的处理容器的内部，利用钟形罩和底座形成有较大的气密空间。半导体晶圆等被处理体载置于配置在底座上的基座之上，在较大的气密空间内对载置在基座之上的被处理体实施成膜处理等处理。

还如专利文献1所记载那样，本来为了对被处理体实施处理而提供有气密空间较大，与被处理体的尺寸相比较，气密空间的容积也易于变大。为了用处理气体充满较大的气密空间，需要大量的处理气体。不仅如此，实际上有助于成膜等反应的处理气体在所供给的处理气体中也极少。

这样，在处理容器的内部具有较大的气密空间、并将较大的气密空间用作对被处理体实施处理的处理空间的基板处理装置中，存在有需要大量的处理气体，或处理气体的使用效率较低这样的情况。

发明内容

本发明提供一种不需要大量的处理气体、而且处理气体的使用效率也较高、并且对被处理体实施处理的处理空间的气密性也良好的基板处理装置。

本发明的一技术方案的基板处理装置包括：载置台，其具有用于载置被处理体的载置面；气体供给头，其设于上述载置台的一端，具有将用于对上述被处理体实施处理的处理气体向上述载置面喷出的多个气孔；罩，其用于收容上述气体供给头和载置在上述载置面上的上述被处理体，以能够相对于上述载置台装卸自由的方式接合于上述载置台，将用于对上述被处理体实施处理的处理空间形成在上述载置面之上；密封构件，其设于上述罩和上述载置台之间的接合部，用于对上述罩和上述载置台之间进行密封；吹扫气体槽，其设于上述罩和上述载置台之间的接合部、且设于上述密封构件和上述处理空间之间；以及吹扫气体供给机构，其用于向上述吹扫气体槽供给吹扫气体。

采用本发明，提供一种不需要大量的处理气体、而且处理气体的使用效率也较高、并且对被处理体实施处理的处理空间的气密性也良好的基板处理装置。

附图说明

图1是表示本发明的第1实施方式的基板处理装置的一个例子的水平剖视图。

图2的（A）和（B）是图1中的II－II剖视图。

图3是图1中的III－III剖视图。

图4是表示本发明的第1实施方式的基板处理装置的第1变形例的水平剖视图。

图5是图4中的V－V剖视图。

图6是图4中的VI－VI剖视图。

图7是表示本发明的第1实施方式的基板处理装置的第2变形例的水平剖视图。

图8是表示本发明的第1实施方式的基板处理装置的第3变形例的水平剖视图。

图9是图8中的IX－IX剖视图。

图10的（A）是表示本发明的第2实施方式的基板处理装置的一个例子的水平剖视图，图10的（B）是图10的（A）中的Ⅹ－Ⅹ剖视图。

图11的（A）是表示第2实施方式的参考例的基板处理装置的剖视图，图11的（B）是图10的（A）中的ⅪB－ⅪB剖视图。

图12是第2实施方式的参考例的基板处理装置的水平剖视图。

图13的（A）是表示本发明的第3实施方式的基板处理装置的一个例子的水平剖视图，图13的（B）是从图13的（A）中的箭头ⅩⅢB方向看到的侧视图，图13的（C）是从图13的（A）中的箭头ⅩⅢC方向看到的侧视图。

图14是表示气体流动方式的图。

图15是本发明的第4实施方式的参考例的基板处理装置的水平剖视图。