[发明专利]半导体制造设备

说明书

技术领域

实施例涉及一种半导体制造设备。

背景技术

图1是常规半导体制造设备的横截面图。

参考图1，半导体制造设备100包括源110、反应腔120、晶片载体（或基座）130、旋转轴150、诸如加热器的加热单元160和护罩170。

晶片载体130设置在反应腔120内部，并且包括形成在它上部的至少一个贮器（pocket）140。晶片（未示出）加载于贮器140内，以及旋转轴150与晶片载体130的下部耦合且使晶片载体130旋转。

加热单元160将晶片载体130的下部和反应腔120的内部加热到指定温度。护罩170用来从源110向反应腔120供应源材料。

通过上述配置，通过引入到反应腔120中的源材料的化学反应，可以在晶片（未示出）的表面上生长半导体薄膜或绝缘膜等。

例如，半导体制造设备100利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或化学气相沉积（CVD），可以在晶片的表面上生长诸如氮化镓基半导体发光器件、高电子迁移率晶体管（HEMT）、场效应晶体管（FET）或激光二极管的器件。

晶片载体130可以由碳或氮化铝（AlN）形成，并且晶片载体130的表面和贮器140内接触晶片的晶片载体130的表面可以涂覆有碳化硅（SiC）膜、碳膜或AlN膜。这里，通过用SiC膜或AlN膜涂覆晶片载体130的表面，可以防止由于使用氢氟酸的化学清洗或热清洗而对由碳形成的晶片载体130的损害，并且可以防止特性降低。

如上所述，贮器140与半导体制造设备100的晶片载体130的主体一体地形成，并且不与晶片载体130分开。由此，即使多个贮器140中的仅一个损坏，也必需替换整个晶片载体130。

此外，位于晶片载体130上的多个贮器140根据贮器140的位置而被加热到不同的温度。尽管如此，由于多个贮器140具有相同的形状，所以根据贮器140的位置，晶片上材料的均匀生长会是不同的。

发明内容

实施例提供了一种半导体制造设备，其可以可拆卸地附着到晶片载体的贮器，并且具有不同的贮器形状。

在一个实施例中，半导体制造设备包括至少一个贮器，其上面安装了将要进行沉积的无源对象（passive subject）；和载体主体，其具有插入空间，至少一个贮器可拆卸地附着到该插入空间。

至少一个贮器可以包括多个贮器，并且多个贮器插入载体主体中的深度可以根据多个贮器而不同或相等。

插入空间可以形成为穿过载体主体的孔形状，或者形成在载体主体的上表面上的沟槽形状。

至少一个贮器可以包括：前支撑部，其形成在至少一个贮器的前表面上并且支撑无源对象；以及后耦合部，其形成在至少一个贮器的后表面上并且与载体主体耦合，并且载体主体和后耦合部可以具有彼此对应的形状，以便彼此耦合。

前支撑部可以包括：第一内侧表面，其在至少一个贮器被插入到载体主体中的第一方向上延伸；第一内底表面，其在与第一方向不同的第二方向上从第一内侧表面延伸，无源对象的边缘放置在第一内底表面上；以及第二内侧表面，其在第一方向上向第一内底表面延伸。前支撑部可以进一步包括在第二方向上从第二内侧表面延伸的第二内底表面，并且对应于至少一个贮器的底部。

第一和第二内底表面中的至少一个可以具有向着无源对象的凸起或凹进形状，或者具有至少一个阶梯部。

后耦合部可以包括：第一外侧表面，其在至少一个贮器的与第一内侧表面相反侧上，在第一方向上延伸；第一外底表面，其在至少一个贮器的与第一内底表面相反侧上，在第二方向上从第一外侧表面延伸；以及第二外侧表面，其在至少一个贮器的与第二内侧表面相反侧上，在第一方向上从第一外底表面延伸。后耦合部可以进一步包括在至少一个贮器的与第二内底表面相反侧上在第二方向上从第二外侧表面延伸的第二外底表面。

载体主体可以包括：第三内侧表面，其面对第一外侧表面且在第一方向上延伸；第三内底表面，其面对第一外底表面且在第二方向上从第三内侧表面延伸；以及第四内侧表面，其面对第二外侧表面且在第一方向上从第三内底表面延伸。载体主体可以进一步包括第四内底表面，其面对第二外底表面且在第二方向上从第四内侧表面延伸。第四内底表面可以具有向着无源对象的凸起或凹进形状，或者具有至少一个阶梯部。载体主体可以进一步包括与第四内底表面相反的第三外底表面，第三外底表面具有至少一个阶梯部。