[发明专利]半导体制造设备有效
申请号: | 201310052623.9 | 申请日: | 2013-02-18 |
公开(公告)号: | CN103255393B | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 成基范;李朝永;金湾中;安昌根;金廷炫 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 达小丽,夏凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 制造 设备 | ||
1.一种半导体制造设备,包括:
至少一个贮器,在所述至少一个贮器上安装有将要在其上进行沉积的无源对象;以及
载体主体,其具有插入空间,所述至少一个贮器可拆卸地附着到所述插入空间,
其中,所述至少一个贮器包括:前支撑部,所述前支撑部被形成在所述至少一个贮器的前表面上并且支撑所述无源对象;以及后耦合部,所述后耦合部被形成在所述至少一个贮器的后表面上并且与所述载体主体耦合,其中所述载体主体和所述后耦合部具有彼此对应的形状,以便彼此耦合,
其中,所述前支撑部包括:第一内侧表面,所述第一内侧表面在所述至少一个贮器插入到所述载体主体中的第一方向上延伸;第一内底表面,所述第一内底表面在与所述第一方向不同的第二方向上从所述第一内侧表面延伸,所述无源对象的边缘放置在所述第一内底表面上;以及第二内侧表面,所述第二内侧表面在所述第一方向上从所述第一内底表面延伸,以及
其中,以不具有底的孔形状来形成所述至少一个贮器,以及由所述第二内侧表面来围绕所述孔。
2.根据权利要求1所述的半导体制造设备,其中,所述至少一个贮器包括多个贮器,以及所述多个贮器插入到所述载体主体中的深度根据所述多个贮器是不同的。
3.根据权利要求1所述的半导体制造设备,其中,所述至少一个贮器包括多个贮器,以及所述多个贮器插入到所述载体主体中的深度根据所述多个贮器是相等的。
4.根据权利要求1所述的半导体制造设备,其中,所述插入空间被形成为穿过所述载体主体的孔形状。
5.根据权利要求1所述的半导体制造设备,其中,所述插入空间被形成为在所述载体主体的上表面上形成的沟槽的形状。
6.根据权利要求1所述的半导体制造设备,其中,所述第一内底表面具有向着所述无源对象的凸起形状。
7.根据权利要求1所述的半导体制造设备,其中,所述第一内底表面具有向着所述无源对象的凹进形状。
8.根据权利要求1所述的半导体制造设备,其中,所述第一内底表面具有至少一个阶梯部。
9.根据权利要求1所述的半导体制造设备,其中,所述后耦合部包括:
第一外侧表面,所述第一外侧表面在所述至少一个贮器的与所述第一内侧表面相反侧上、在所述第一方向上延伸;
第一外底表面,所述第一外底表面在所述至少一个贮器的与所述第一内底表面相反侧上、在所述第二方向上从所述第一外侧表面延伸;以及
第二外侧表面,所述第二外侧表面在所述至少一个贮器的与所述第二内侧表面相反侧上、在所述第一方向上从所述第一外底表面延伸。
10.根据权利要求9所述的半导体制造设备,其中,所述载体主体包括:
第三内侧表面,所述第三内侧表面面对所述第一外侧表面且在所述第一方向上延伸;
第三内底表面,所述第三内底表面面对所述第一外底表面并且在所述第二方向上从所述第三内侧表面延伸;以及
第四内侧表面,所述第四内侧表面面对所述第二外侧表面并且在所述第一方向上从所述第三内底表面延伸。
11.根据权利要求10所述的半导体制造设备,其中,所述载体主体在所述第二方向上从所述第四内侧表面延伸。
12.根据权利要求11所述的半导体制造设备,其中,所述第四内底表面具有向着所述无源对象的凸起形状。
13.根据权利要求11所述的半导体制造设备,其中,所述第四内底表面具有向着所述无源对象的凹进形状。
14.根据权利要求11所述的半导体制造设备,其中,所述第四内底表面具有至少一个阶梯部。
15.根据权利要求11所述的半导体制造设备,其中,所述载体主体进一步包括与所述第四内底表面相反的第三外底表面,所述第三外底表面具有至少一个阶梯部。
16.根据权利要求10所述的半导体制造设备,其中:
所述至少一个贮器包括从所述第一外底表面向着所述载体主体的第三内底表面突出的支撑突起;以及
所述载体主体包括形成在所述第三内底表面上的支撑沟槽,所述至少一个贮器的支撑突起插入到所述支撑沟槽中。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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