[发明专利]一种PMOS晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：

1）提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上制备栅区域，并对所述栅区域下方邻接预制备源、漏区的区域进行B离子轻掺杂注入，形成轻掺杂源漏延伸区； 

2）在所述栅区域两侧沉积第一保护侧墙，在所述栅区域两侧的所述半导体衬底内刻蚀出第一沟槽，并在所述栅区域下保留部分轻掺杂源漏延伸区； 

3）在所述第一沟槽内外延生长应力填充层以填充满所述第一沟槽；

4）在所述栅区域两侧的所述应力填充层内刻蚀出第二沟槽，其中，所述第二沟槽使栅区域部分悬空于所述应力填充层之上，同时在所述栅区域下的所述第二沟槽侧壁邻近被保留的部分轻掺杂源漏延伸区； 

5）外延生长调节层以填充满所述第二沟槽，而后进行退火，其中，所述调节层与应力填充层的掺杂类型相同，同时，所述调节层的掺杂浓度高于所述应力填充层的掺杂浓度； 

6）以所述栅区域为掩膜，对位于栅区域两侧且形成有所述调节层和应力填充层的半导体衬底进行离子注入形成源区及漏区。

2.根据权利要求1所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于：外延生长所述应力填充层及调节层时通入的掺杂源为含Ge元素的第一掺杂源和含B元素的第二掺杂源。

3.根据权利要求2所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于：在步骤3）中，所述应力填充层在外延生长时由外层至内层的掺杂浓度逐层增加。

4.根据权利要求2所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述应力填充层中B掺杂杂质的浓度范围是1E18~2E20cm^-2；所述应力填充层中Ge元素的摩尔比范围是0.1~0.5。

5.根据权利要求1所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于：在步骤4）中，位于一第二沟槽上的栅区域悬空部分的宽度与所述第一保护侧墙的总宽度之比的范围是1/2~1。

6.根据权利要求1所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述第二沟槽与第一沟槽的深度比为1/5~1/3。

7.根据权利要求2所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述调节层中B掺杂杂质的浓度范围是5E19~8E20cm^-2；所述调节层中Ge元素的摩尔比范围是0.1~0.5。

8.根据权利要求1所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述步骤5）中外延生长调节层填充满所述第二沟槽后继续外延生长。

9.根据权利要求1所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于：步骤1）中B离子轻掺杂注入的能量为0.3~3KeV，B离子注入的剂量为1E13~5E13 cm^-2。

10.根据权利要求1所述的PMOS晶体管的制造方法，其特征在于：步骤1）中所述B离子轻掺杂注入时与半导体衬底的法线夹角为0~7°。

11.根据权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述栅区域包括栅介质层、位于所述栅介质层上的栅极及位于所述栅介质层及栅极两侧的侧墙结构。

12.根据权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底的材料为Si、Si_1-xC_x或Si_1-x-yGe_yC_x，其中，x的范围为0.01~0.1，y的范围为0.1~0.5。