[发明专利]用于半导体晶片装卸末端执行器的质量阻尼器

说明书

本申请根据美国法典第35编第119条(e)，要求2012年2月17日提交的、申请号为61/600,515的美国临时申请的权益，并要求2013年2月1日提交的、申请号为13/757,489的、名称为“MASS DAMPER FOR SEMICONDUCTOR WAFER HANDLING END EFFECTOR(用于半导体晶片装卸末端执行器的质量阻尼器)”的美国非临时申请的优先权，前述申请的全部内容作为参考并入本申请中。

技术领域

本公开总体上涉及质量阻尼器，尤其是涉及用于半导体晶片装卸末端执行器的质量阻尼器。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，不同类型的工具被用来执行数以百计的处理操作。这些操作中的大部分在极低压的处理室中(即，在真空或部分真空中)被执行。这样的处理室可被设置为围绕中央毂(central hub)，且该毂和处理室可被保持在大体上相同的极低压。通过机械地耦合于处理室的晶片装卸系统(wafer handling system)，可将晶片引介到该处理室。晶片装卸系统将晶片从工厂车间(factory floor)传送到处理室。晶片装卸系统可包括装载锁以将晶片从大气条件带到极低压条件以及再带回大气条件，晶片装卸系统还可包括装备有末端执行器的机械臂，所述末端执行器被构造来在晶片传输过程中支撑晶片。

发明内容

本文所公开的技术和设备可用多种方式来实现，包括但不限于下面所述的各种实施方式。可以理解的是，本领域普通技术人员可使用本文所记载的技术和设备来生成符合本文中所公开的信息的其它实施方式，且这样的替代实施方式也被认为落在本公开的范围内。

在一实施方式中，提供了一种设备，所述设备包括机械接口，所述机械接口被构造为刚性连接到晶片装卸机械手的末端执行器，所述末端执行器被构造来支撑晶片。所述设备还可包括重量大于0.38磅质量(lbm)的校准质量阻尼器(calibrated mass damper，CMD)，且可被校准来产生所述末端执行器的第一模态频率和所述末端执行器被构造来支撑的所述晶片的第一模态频率之间的至少一个倍频程(octave)的分离。

在一些进一步的实施方式中，所述CMD可以是大约0.42磅质量。在一些实施方式中，钨可被用来制作所述CMD。所述CMD还可被镀，例如，用镍。

在一些进一步的实施方式中，所述末端执行器在与所述末端执行器的最大维度一致的方向上可具有第一长度，且当所述CMD被安装在所述末端执行器上时，所述CMD和所述末端执行器在与所述末端执行器的所述最大维度一致的所述方向上可具有合并的第二长度。在这样的实施方式中，所述第二长度超过所述第一长度可不多于1.35英寸。

在一些实施方式中，所述CMD可包括壳体和校准材料(calibration material)。所述校准材料可以是被密封在所述壳体内的粒状材料。

在另一实施方式中，可提供一种末端执行器改进套件。所述末端执行器改进套件可包括校准质量阻尼器(CMD)。所述CMD可包括机械接口，所述机械接口被构造为刚性连接到晶片装卸机械手的末端执行器，而所述末端执行器可被构造来支撑晶片。所述CMD可具有大于0.38磅质量的重量，且可被校准来产生所述末端执行器的第一模态频率和所述末端执行器被构造来支撑的所述晶片的第一模态频率之间的至少一个倍频程的分离。

在一些进一步的末端执行器改进套件的实施方式中，所述套件可进一步包括标准的CMD接触垫。所述末端执行器可包括一或更多标准接触垫，且所述标准的CMD接触垫可被构造来在改进过程中取代所述末端执行器的所述标准接触垫中的一个。所述标准的CMD接触垫还可包括所述标准接触垫的特征的子集，以及被构造来与所述CMD接合并支撑所述CMD的额外特征。

在一些进一步的末端执行器改进套件的实施方式中，所述套件可进一步包括背面的CMD接触垫。所述末端执行器可包括一或更多背面接触垫，且所述背面的CMD接触垫可被构造来在改进过程中取代所述末端执行器的所述背面接触垫中的一个。所述背面的CMD接触垫还可包括所述背面接触垫的特征的子集，以及被构造来与所述CMD接合并支撑所述CMD的额外特征。