[发明专利]用于半导体晶片装卸末端执行器的质量阻尼器有效
| 申请号: | 201310049300.4 | 申请日: | 2013-02-07 |
| 公开(公告)号: | CN103258776B | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
| 发明(设计)人: | 马克·K·坦;尼古拉斯·M·科佩茨;理查德·M·布兰克 | 申请(专利权)人: | 诺发系统公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人: | 李献忠 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 半导体 晶片 装卸 末端 执行 质量 阻尼 | ||
1.一种设备,其包括:
机械接口,所述机械接口被构造为刚性连接到晶片装卸机械手的末端执行器,所述末端执行器:
具有被构造为将所述末端执行器连接到所述晶片装卸机械手的接口部分,
具有延伸远离所述接口部分的薄的手指状部分,且
被构造为支撑晶片使得所述手指状部分被置于所述晶片下面;以及
校准质量阻尼器,其中:
所述机械接口被构造为将所述校准质量阻尼器附着到所述手指状部分的与所述接口部分相对的末梢,
所述校准质量阻尼器大于或等于半磅质量,且
所述校准质量阻尼器被校准来产生所述末端执行器的第一模态频率和所述末端执行器被构造来支撑的所述晶片的第一模态频率之间的至少一个倍频程的分离。
2.如权利要求1所述的设备,其中所述校准质量阻尼器是半磅质量。
3.如权利要求1所述的设备,其中所述校准质量阻尼器由钨制成。
4.如权利要求1所述的设备,其中所述校准质量阻尼器是镀镍的。
5.如权利要求1所述的设备,其中:
所述末端执行器在与所述末端执行器的最大维度一致的方向上具有第一长度,
当所述校准质量阻尼器被安装在所述末端执行器上时,所述校准质量阻尼器和所述末端执行器在与所述末端执行器的所述最大维度一致的所述方向上具有合并的第二长度,且
所述第二长度超过所述第一长度不多于1.35英寸。
6.如权利要求1所述的设备,其中所述校准质量阻尼器包括壳体和校准材料,其中:
所述校准材料被密封在所述壳体内,且
所述校准材料是粒状的。
7.一种末端执行器改进套件,所述末端执行器改进套件包括:
校准质量阻尼器,其中:
所述校准质量阻尼器包括机械接口,所述机械接口被构造为刚性连接到晶片装卸机械手的末端执行器,所述末端执行器:
具有被构造为将所述末端执行器连接到所述晶片装卸机械手的接口部分,
具有延伸远离所述接口部分的薄的手指状部分,且
被构造为支撑晶片使得所述手指状部分被置于所述晶片下面,其中所述手指状部分具有位于所述手指状部分与所述接口部分相对的末端上的末梢部分且所述校准质量阻尼器的所述机械接口部分被构造为通过连接到所述末梢部分刚性连接到所述末端执行器;
所述校准质量阻尼器大于或等于半磅质量;且
所述校准质量阻尼器被校准来产生所述末端执行器的第一模态频率和所述末端执行器被构造来支撑的所述晶片的第一模态频率之间的至少一个倍频程的分离。
8.如权利要求7所述的末端执行器改进套件,其进一步包括:
标准的校准质量阻尼器接触垫,其中:
所述末端执行器包括一或更多标准接触垫,
所述标准的校准质量阻尼器接触垫包括所述标准接触垫的一或多个特征,
所述标准的校准质量阻尼器接触垫包括被构造来与所述校准质量阻尼器接合并支撑所述校准质量阻尼器的额外特征,且
所述标准的校准质量阻尼器接触垫被构造来在改进过程中取代所述末端执行器的所述标准接触垫中的一个。
9.如权利要求7所述的末端执行器改进套件,其进一步包括:
背面的校准质量阻尼器接触垫,其中:
所述末端执行器包括一或更多背面接触垫,
所述背面的校准质量阻尼器接触垫包括所述背面接触垫的一或多个特征,
所述背面的校准质量阻尼器接触垫包括被构造来与所述校准质量阻尼器接合并支撑所述校准质量阻尼器的额外特征,且
所述背面的校准质量阻尼器接触垫被构造来在改进过程中取代所述末端执行器的所述背面接触垫中的一个。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于诺发系统公司,未经诺发系统公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310049300.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





