[发明专利]电力半导体元件

权利要求书

1.一种电力半导体元件，

具备：

层叠体，该层叠体包括：第一半导体层；第一导电型的第二半导体层，设置在上述第一半导体层之上；第二导电型的多个第三半导体层，设置在上述第二半导体层，沿着与上述第一半导体层和上述第二半导体层之间的层叠方向垂直的第一方向以规定间隔排列；第二导电型的第四半导体层，设置在上述第二半导体层之上；以及第一导电型的第五半导体层，设置在上述第四半导体层，在上述层叠方向上与上述第二半导体层分离；

多个栅电极，隔着绝缘膜设置在上述层叠体，沿着与上述层叠方向以及上述第一方向垂直的第二方向排列，沿着上述层叠方向延伸，具有比上述第二半导体层靠上的上端和比上述第四半导体层靠下的下端，上述栅电极的至少一部分配置在相邻的2个上述第三半导体层之间；

多个第一电极，隔着绝缘膜设置在上述多个栅电极的各个栅电极之下，具有比上述第一半导体层靠上的下端；

第二电极，与上述第一半导体层电连接；以及

第三电极，与上述第五半导体层电连接，

上述多个第一电极中的任意个第一电极与上述栅电极电连接，

上述多个第一电极中的其他的任意个第一电极与上述第三电极电连接，

与上述栅电极电连接的上述多个第一电极和与上述第三电极电连接的上述多个第一电极，沿着上述第二方向交替地配置，

相邻的2个上述第三半导体层的上述第一方向上的节距，比相邻的2个上述第一电极的上述第二方向上的节距大。

2.一种电力半导体元件，

具备：

层叠体，该层叠体包括：第一半导体层；第一导电型的第二半导体层，设置在上述第一半导体层之上；第二导电型的多个第三半导体层，设置在上述第二半导体层，沿着与上述第一半导体层和上述第二半导体层之间的层叠方向垂直的第一方向以规定间隔排列；第二导电型的第四半导体层，设置在上述第二半导体层之上；以及第一导电型的第五半导体层，设置在上述第四半导体层，在上述层叠方向上与上述第二半导体层分离；

多个栅电极，隔着绝缘膜设置在上述层叠体，沿着上述层叠方向延伸，具有比上述第二半导体层靠上的上端和比上述第四半导体层靠下的下端，上述栅电极的至少一部分配置在相邻的2个上述第三半导体层之间；

多个第一电极，分别隔着绝缘膜设置在上述多个栅电极的各个栅电极之下，上述第一电极的下端比上述第一半导体层靠上；

第二电极，与上述第一半导体层电连接；以及

第三电极，与上述第五半导体层电连接，

上述多个第一电极中的任意个第一电极与上述栅电极电连接，

上述多个第一电极中的其他的任意个第一电极与上述第三电极电连接。

3.如权利要求2记载的电力半导体元件，其中，

与上述栅电极电连接的上述多个第一电极和与上述第三电极电连接的上述多个第一电极交替地配置。

4.如权利要求2或者3记载的电力半导体元件，其中，

上述多个栅电极沿着上述第一方向排列，上述栅电极的上述下端设置在上述第二半导体层。

5.如权利要求2或者3记载的电力半导体元件，其中，

上述多个栅电极沿着与上述层叠方向以及上述第一方向垂直的第二方向排列。

6.如权利要求5记载的电力半导体元件，其中，

相邻的2个上述第三半导体层的上述第一方向上的节距，比相邻的2个上述第一电极的上述第二方向上的节距大。

7.如权利要求2或者3记载的电力半导体元件，其中，

上述第二半导体层中比上述第一电极的上述下端靠上的部分的杂质浓度，高于上述第二半导体层中比上述第一电极的上述下端靠下的部分的杂质浓度，

上述第三半导体层的下端比上述第一电极的上述下端靠下，

上述第三半导体层中比上述第一电极的上述下端靠上的部分的杂质浓度，高于上述第三半导体层中比上述第一电极的上述下端靠下的部分的杂质浓度。

8.如权利要求2或者3记载的电力半导体元件，其中，

上述第二半导体层中比上述第一电极的上述下端靠上的部分的杂质浓度，高于上述第三半导体层中比上述第一电极的上述下端靠上的部分的杂质浓度。

9.如权利要求2或者3记载的电力半导体元件，其中，

上述第三半导体层的下端比上述第一电极的上述下端靠下，

上述第二半导体层中比上述第一电极的上述下端靠下的部分的杂质浓度，低于上述第三半导体层中比上述第一电极的上述下端靠下的部分的杂质浓度。