[发明专利]半导体封装件的封装方法及应用其形成的半导体封装件

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装件的封装方法及应用其形成的半导体封装件，且特别是有关于一种改善散热问题的半导体封装件的封装方法及应用其形成的半导体封装件。

背景技术

传统的半导体封装件包含芯片及封装体。为了保护芯片，封装体通常包覆芯片的侧面及上表面。然而，这样完整的包覆反而不易散逸芯片的热量。

此外，若芯片的上表面及侧缘完全暴露于外界中虽具有较佳的散热效果但容易造成芯片遇外力碰撞而损坏的风险。

发明内容

本发明有关于一种半导体封装件，一实施例中，可改善已知的芯片散热不佳的问题且可降低芯片遭受外界碰撞而损坏的风险。

根据本发明，提出一种半导体封装件的封装方法。半导体封装件的封装方法包括以下步骤。提供一上模及一下模，上模包括一可形变元件；设置一基板及一芯片于下模，其中芯片设于基板上且位于可形变元件正下方并具有一上表面；合模下模与上模而形成一模穴，使可形变元件挤压芯片而形成一环状突部，环状突部的一底面低于芯片的上表面，且下模与上模在合模后，模穴的一顶面对齐或高于芯片的上表面；以及，填充一封装材料于上模与下模之间的模穴内，其中封装材料包覆芯片且覆盖模穴的顶面。

根据本发明，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一芯片及一封装体。芯片具有一面对基板的一第一表面及一远离基板的一第二表面。封装体包覆芯片且具有一凹槽及一上表面，封装体的上表面高于或对齐于芯片的第二表面，其中凹槽与封装体的上表面相连且露出芯片的第二表面，且凹槽的底面低于芯片的第二表面。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下∶

附图说明

图1A绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的外观图。

图1B绘示图1A中沿方向1B-1B’的剖视图。

图2绘示图1B的测试半导体封装件的示意图。

图3A至3C绘示图1B的半导体封装件的制造过程图。

主要元件符号说明：

100：半导体封装件

110：基板

110u、130u：上表面

120：芯片

120b：第一表面

120u：第二表面

120s：侧面

121、140：电性接点

130：封装体

130’：封装材料

130b、221b、2131b：底面

130r：凹槽

130r1：第一子凹槽

130r2：第二子凹槽

130s：内侧面

150：压板

160：测试针脚

210：上模

211：上模体

212：中板

212r、221r：凹部

213：可形变元件

213s1：外侧

213s2：内侧

2131：环形突部

220：下模

221：下模体

222：承载板

230r：模穴

230u、212u：顶面

2131：环状突部

D1、D2：内径

H1、H2、H3、H4、H5：距离

P：压缩厚度

S：模流空间

T1、T2：厚度

具体实施方式

请参照图1A，其绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的外观图。半导体封装件100包括基板110、芯片120、封装体130及至少一电性接点140。

基板110可以是有机(organic)基板、陶瓷(ceramic)基板110、硅基板、金属载板或中介层基板。此外，基板110可以是单层或多层线路基板。

请参照图1B，其绘示图1A中沿方向1B-1B’的剖视图。芯片120以其主动面(例如是芯片120的面向基板110的第一表面120b)朝下方位设于基板110的上表面110u上，并通过至少一电性接点121电性连接于基板110，此种芯片120称为覆晶(flip chip)。电性接点121例如凸块、焊球或导电柱。

封装体130包覆芯片120的侧面120s且具有凹槽130r。凹槽130r露出芯片120的远离基板110的第二表面120u。本例中，凹槽130r露出芯片120的整个第二表面120u，藉以提供最大露出面积，以快速把芯片120的热量逸散至半导体封装件100外。