[发明专利]一种CVD反应器

说明书

技术领域

本发明涉及多晶硅制造技术领域，更具体地说，涉及一种CVD反应器。

背景技术

目前，多晶硅主要是利用化学气相沉积原理来进行生产，原料气体进入CVD反应器内部空间中，并在其中受热分解产生单质硅，单质硅在硅芯（单质硅附着的基材，其为多晶硅材质，以引导单质硅附着在其上生长成多晶硅）上沉积生长成多晶硅棒。

CVD反应器是气体发生反应的设备容器，一般的CVD反应器内部空间中可以安装12、18、24或36对硅芯，安装的硅芯越多，CVD反应器的体积、直径就越大，单位时间内需要通入的气体就越多。在现有技术中，原料气进入CVD反应器内部空间的方式有两种，其一是在CVD反应器的底座上设置有多个进气口，原料气体从多个进气口中向上喷出以进入内部空间，另一种方式是在底座上设置有多根导气管，原料气体从底座中进入导气管，在导气管的一定高度处设有不同方向的多个出气口，原料气体从此出气口中喷出以进入内部空间中。

但是，在实际的生产过程中，向CVD反应器内部空间中通入原料气后，多晶硅在硅芯上生长的过程中，由于原料气进入内部空间的位置以及原料气在较大的内部空间中不均匀扩散等因素的影响，使得反应生成的单质硅在硅芯上的分布也不均匀，进而使得生长成的多晶硅棒直径不均，外观粗细不一致，导致单炉产量相对较低。

因此，如何提高CVD反应器生产多晶硅的单次生产量，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种CVD反应器，其提高了多晶硅的单次生产量。

为了达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种CVD反应器，包括硅芯和供原料气体进入所述CVD反应器内部空间中的进气口，其还包括：

能够允许所述硅芯进入其内腔中的管形套筒；

与所述进气口导通的导气管，且所述导气管与所述套筒导通。

优选的，上述CVD反应器中，所述导气管与所述套筒具有多个导通路径。

优选的，上述CVD反应器中，所述导气管与所述套筒平行设置，且固定连接。

优选的，上述CVD反应器中，一个所述导气管与多个所述套筒连接且导通。

优选的，上述CVD反应器中，所述套筒的高度小于所述硅芯的高度。

优选的，上述CVD反应器中，所述套筒的高度范围为1900mm-2200mm。

优选的，上述CVD反应器中，所述套筒的内径为200mm-250mm。

优选的，上述CVD反应器中，一个所述导气管上连接有四个所述套筒。

优选的，上述CVD反应器中，所述多个导通路径沿所述导气管的轴向均匀分布。

优选的，上述CVD反应器中，所述导通路径为4-6个。

本发明提供的CVD反应器中，在CVD反应器的内部空间中设置了管型的套筒，在生产多晶硅时，硅芯放入到套筒的内腔中，因为导气管与进气口连接，并和套筒导通，原料气体在进入到CVD反应器的内部空间时，会直接进入到套筒的内腔中，而套筒的内腔就会形成一个小的反应空间，因为硅芯放置于空间相对较小的内腔中，原料气体反应生成的单质硅在小的反应空间内始终围绕在硅芯附近，其分布比较均匀，进而降低了多晶硅棒的直径偏差。本发明提供的CVD反应器，与原有的CVD反应器相比，在CVD反应器的内部空间中设置套筒，进而形成小的反应空间，使生成的单质硅在硅芯上分布的更加均匀，进一步减小了多晶硅棒的直径偏差，提高了CVD反应器生产多晶硅的单次生产量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的CVD反应器的底座、硅芯和套筒的结构示意图；

图2为套筒的剖视图。

以上图1-图2中：

硅芯1、套筒2、导气管3、导通路径4、底座5。

具体实施方式

为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方式进行描述，但是应当理解，这些描述只是为了进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。

本发明提供了一种CVD（英文Chemical Vapor Deposition的缩写，化学气相沉积）反应器，其提高了多晶硅的单次生产量。