[发明专利]一种实现过渡金属氮化物陶瓷低温烧结的方法无效
| 申请号： | 201310046256.1 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN103073300A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 张国军;汤云;刘海涛;薛佳祥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/64;C04B35/645 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实现 过渡 金属 氮化物 陶瓷 低温 烧结 方法 | ||
1.一种实现过渡金属氮化物陶瓷低温烧结的方法，其特征在于，以过渡金属氮化物MeN为原料、过渡金属Me’为烧结助剂通过热压烧结或放电等离子烧结进行烧结，其中所述热压烧结或放电等离子烧结是先在第一温度下保温使过渡金属氮化物与过渡金属直接反应形成固溶体，再施加一定压力并升温至第二温度进行烧结。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，Me为Ti、Zr或Hf；Me’为Ti，Zr或Hf。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述过渡金属氮化物为纯度大于98%、粒径为1～20μm的粉体；所述过渡金属为纯度大于98%、粒径为1～100μm的粉体。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其特征在于，所述过渡金属氮化物与所述过渡金属的摩尔比为1:（0.01～0.3）。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其特征在于，在所述热压烧结中，所述第一温度为1000～1400℃，保温时间为10～60分钟；所述施加压力为20～100MPa，所述第二温度为1400～1800℃，保温时间为0.5～5小时。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述热压烧结中升温速率为5～50℃/分钟。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其特征在于，在所述放电等离子烧结中，所述第一温度为1000～1300℃，保温时间为1～30分钟；所述施加压力为20～100MPa，所述第二温度为1300～1600℃，保温时间为1～30分钟。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述放电等离子烧结中，升温速率为50～200℃/分钟。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的方法，其特征在于，所述热压烧结或放电等离子烧结在真空或惰性气氛下进行。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述惰性气氛为氩气气氛。
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