[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件有效
申请号: | 201310045094.X | 申请日: | 2013-01-30 |
公开(公告)号: | CN103367173A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 野田贵三 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;张宁 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
相关申请的交汇引用
在此通过引用并入2012年3月27日提交的日本专利申请No.2012-071563的全部公开内容,包括说明书、附图和摘要。
技术领域
本发明涉及用于制造半导体器件的技术,并且更具体地涉及利用树脂密封安装在布线板上的诸如半导体芯片之类的电子组件的技术。
背景技术
对于半导体封装而言,存在单侧密封型封装,该单侧密封型封装包括布线板、安装在布线板上的半导体芯片以及设置在布线板上使得覆盖半导体芯片的密封树脂。
在形成该半导体封装的密封树脂时,使用包括支撑布线板的背表面侧的下模具和面对下模具的上模具的模具。上模具包括形成围绕半导体芯片的空腔的凹入部分和在空腔周围接触布线板表面的平坦部分(例如参见日本未审专利公开No.2000-058571和日本未审专利公开No.2006-313801)。
布线板包括绝缘膜、形成在该绝缘膜上的布线图案和覆盖该布线图案的阻焊剂。阻焊剂形成在布线图案上相对突出的突出部分上,并且由于布线图案的厚度,除了突出部分之外还形成在凹入部分上。因此,在凹入部分上的上模具和阻焊剂之间产生空隙,并且树脂有时通过该空隙泄漏。另一方面,为了抑制树脂泄漏,当上模具和下模具强有力地彼此压靠时,可能损坏在突出部分上的布线板(例如,日本未审专利公开No.2000-058571和日本未审专利公开No.2006-313801)。
鉴于这些问题,日本未审专利公开No.2000-058571描述了可相对于上模具垂直移动地提供围绕空腔的墙壁形夹块,使用按压机制向下按压夹块,并且夹块的下端表面压靠与布线板的顶表面上的空腔相邻的部分用于阻止树脂的泄漏。在日本未审专利公开No.2000-058571中描述的夹块布置在与空腔相邻或者在空腔中的位置处。
注意,日本未审专利公开No.2005-101407描述了如下技术:其中在上模具上设置块销,该块销接触布线板外侧上的下模具的顶表面,并且在夹紧时向下按压下模具,用于抑制布线板的变形或断裂等。
发明内容
在日本未审专利公开No.2000-058571中描述的技术中,夹块布置在与空腔相邻或者在空腔中的位置处。
另一方面,日本未审专利公开No.2005-101407描述了如下技术:其中块销向下按压下模具,用于调整跨上模具和布线板的接触压力。
如上所述,在形成密封树脂时难以将树脂泄漏的抑制与对布线板的功能布线区域的损坏的抑制相结合。
本发明的目的在于提供一种可以将树脂泄漏的抑制与对互连的损坏的抑制相结合的技术。前述目的、其它目的和新颖特征将从本说明书的描述和附图中显而易见。为了简要描述起见,在本申请中公开的代表性方面的概要如下。
即,本发明是一种用于制造半导体器件的方法,其中在密封半导体器件的步骤中使用的密封模具的上模具的平坦部分上方设置突出部分,该平坦部分接触围绕上模具的空腔的布线板,并且该突出部分设置在远离空腔的位置处。
此外,本发明是一种半导体器件,其中凹痕(dent)在远离密封树脂的位置处延伸。
根据本发明,在形成密封树脂时可以将树脂泄漏的抑制与对布线板的功能布线区域的损坏的抑制相结合。
附图说明
图1是根据第一实施例的半导体器件模具的配置的截面图;
图2是根据第一实施例的半导体器件模具的第二模具的一个示例的底视图;
图3是根据第一实施例的半导体器件模具的第二模具的另一示例的底视图;
图4A至图4D是根据第一实施例的半导体器件的示图;
图5A和图5B是根据第一实施例的半导体器件的示图;
图6A和图6B是根据示例性变型的半导体器件的示图;
图7是经处理的衬底的平面图;
图8是根据第二实施例的半导体器件模具的第二模具的截面图;
图9A和图9B是根据第三实施例的半导体器件模具的第二模具的截面图;
图10是布线板的截面图;以及
图11是用于描述用于制造根据比较性示例的半导体器件的方法的问题的截面图。
具体实施方式
在下面将参照附图描述本发明的实施例。注意,在所有附图中类似的组件被标示相同的参考表号和符号,并且适当地省略描述。
第一实施例
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造