[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件有效
申请号: | 201310045094.X | 申请日: | 2013-01-30 |
公开(公告)号: | CN103367173A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 野田贵三 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;张宁 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法,包括以下步骤:
制备布线板,所述布线板包括第一表面和第二表面,所述第一表面包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域,所述第二表面是在所述第一表面的相反侧上的表面,当在平面中看时所述布线板的轮廓包括第一边缘;
在所述第一区域上方安装半导体器件;
利用第一模具和布置为面对所述第一模具的第二模具来夹紧其上方安装有所述半导体器件的所述布线板;以及
利用密封树脂来密封所夹紧的所述布线板上方的半导体器件,
其中所述第二模具包括接触所述第二区域的平坦部分、形成在面对所述第一区域的位置处的凹入部分、以及形成在所述平坦部分上的远离所述凹入部分的位置处的突出部分,所述突出部分在所述第一模具侧上突出并且沿着所述第一边缘延伸;
其中夹紧所述布线板的步骤包括以下步骤:
在所述第一模具上方布置所述布线板,从而所述第二表面接触所述第一模具;以及
利用所述第一模具和所述第二模具夹住所述布线板以夹紧所述布线板,并且使所述平坦部分和所述突出部分与所述第二区域接触;以及
其中在利用所述密封树脂来密封所述半导体器件的步骤中,在所述凹入部分中填充所述树脂,并且在所述第一区域上方形成与所述凹入部分对应形状的所述密封树脂。
2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,其中所述布线板包括:
基础衬底,形成有多个通孔;
第一互连,形成在所述第一表面侧上的所述基础衬底上方;以及
第一绝缘膜,形成在所述第一互连上方;
其中所述通孔包括第一通孔,所述第一通孔位于所述第二区域中并且当在平面中看时位于所述突出部分的内侧上的所述第一区域侧上;以及
其中在夹紧时所述突出部分按压所述第一绝缘膜以在所述第一绝缘膜上形成凹痕。
3.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法,
其中从所述平坦部分突出的所述突出部分的长度短于所述第一互连上方的所述第一绝缘膜的厚度。
4.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法,
其中所述布线板包括在所述第一区域中的第一电极端子;
其中所述第一互连从所述第一电极端子延伸到所述第一通孔;以及
其中所述布线板还包括在所述第二区域中的第二互连,所述第二互连从所述第一通孔到达所述第一边缘。
5.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,
其中所述第一区域为交替地具有长边和短边的八边形;
其中当在平面中看时,所述八边形的第一长边和所述布线板的第一边缘彼此平行地位于相对于所述凹入部分的相同侧上;以及
其中所述突出部分和所述第一长边彼此平行地延伸。
6.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法,
其中在所述第一长边和所述突出部分之间的距离长于在所述第一边缘和所述突出部分之间的距离。
7.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法,
其中在所述第二模具中,其中不形成所述突出部分的区域存在于面对所述第一区域的短边的区域的至少一部分中。
8.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,
其中在利用所述密封树脂来密封所述半导体器件的步骤之后,在所述第二表面上形成多个外部端子。
9.根据权利要求8所述的用于制造半导体器件的方法,
其中当在平面中看时,位于最外外围部分上的所述外部端子形成在其中在夹紧时所述突出部分接触所述布线板的部分的内侧上的所述第一区域中。
10.根据权利要求8所述的用于制造半导体器件的方法,
其中所述布线板包括多个产品区域;以及
其中在所述第二表面上形成多个外部端子的步骤之后,所述布线板各自分隔成产品区域。
11.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,
其中在利用所述密封树脂来密封所述半导体器件的步骤中,在所述突出部分和所述第一区域之间的所述第二区域上方形成由所述树脂形成的细衬边,并且所述细衬边不形成在所述突出部分的第一边缘侧上的所述第二区域上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造