[发明专利]偏振光的检测方法有效
| 申请号: | 201310042255.X | 申请日: | 2013-02-04 | 
| 公开(公告)号: | CN103968948A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 | 
| 发明(设计)人: | 刘军库;李关红;李群庆;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 
| 主分类号: | G01J4/04 | 分类号: | G01J4/04 | 
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 | 
| 地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 偏振光 检测 方法 | ||
1.一种偏振光的检测方法,其包括以下具体步骤:
a) 提供一偏振光检测系统,其包括一光敏电阻、一电源及一检测装置,所述光敏电阻、电源和检测装置通过导线电连接形成一电流回路,所述光敏电阻包括一第一电极层和一光敏材料层,所述检测装置包括一电流检测元件及一计算机分析系统;
b) 将一待测光照射到所述光敏电阻的第一电极层的表面;
c) 利用所述光敏电阻对该待测光进行偏振识别;
d) 利用所述电流检测元件检测步骤c中的电流变化;以及
e) 利用所述计算机分析系统分析得到该待测光的偏振信息。
2.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述光敏电阻进一步包括一第二电极层,所述第一电极层、光敏材料层和第二电极层层叠设置,构成一三明治结构,所述第一电极层和第二电极层分别设置于所述光敏材料层相对的两个表面上,且分别与所述光敏材料层电接触。
3.如权利要求2所述的检测方法,其特征在于,所述第一电极层包括一第一碳纳米管薄膜结构,所述第一碳纳米管薄膜结构包括多个均匀分布的碳纳米管,所述多个碳纳米管沿同一方向择优取向排列。
4.如权利要求3所述的检测方法,其特征在于,所述第一碳纳米管薄膜结构包括至少一碳纳米管拉膜,所述碳纳米管拉膜包括多个沿同一方向择优取向排列的碳纳米管,且相邻的两个碳纳米管之间通过范德华力相连。
5.如权利要求4所述的检测方法,其特征在于,所述碳纳米管拉膜的透光率在80%~90%之间。
6.如权利要求2所述的检测方法,其特征在于,所述第二电极层包括一第二碳纳米管薄膜结构。
7.如权利要求2所述的检测方法,其特征在于,所述第二电极层包括一金属薄膜。
8.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述光敏材料层的厚度在5微米~500微米之间。
9.如权利要求3所述的检测方法,其特征在于,所述光敏电阻进一步包括相互间隔设置的第一引出电极及第二引出电极,所述第一引出电极与所述第一电极层电连接,所述第二引出电极与所述第二电极层电连接。
10.如权利要求9所述的检测方法,其特征在于,所述第一引出电极设置于所述第一电极层沿着所述碳纳米管择优取向排列的方向的一端。
11.如权利要求9所述的检测方法,其特征在于,所述第二引出电极设置于所述第二电极层沿着所述碳纳米管择优取向排列的方向的一端。
12.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,步骤c中,所述利用所述光敏电阻对该待测光进行偏振识别,是指通过调整该待测光的发光源与所述光敏电阻的方位关系,使该待测光透过所述第一电极层照射到所述光敏材料层上。
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