[发明专利]提高硅基薄膜太阳能电池光电转换效率的方法在审
| 申请号： | 201310042244.1 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103078012A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 曲铭浩;胡安红;汝小宁;张津燕;徐希翔 | 申请（专利权）人： | 福建铂阳精工设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 福建省泉州鲤城区江南国家高新*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 薄膜 太阳能电池 光电 转换 效率 方法 | ||
1.一种提高硅基薄膜太阳能电池光电转换效率的方法，包括：
在玻璃或其它透明基板上沉积透明导电氧化物薄膜；
在透明导电氧化物薄膜表面依次沉积多结微晶硅或非晶硅电池；
在电池表面沉积背电极形成电池芯片；
所述方法还包括对所述电池芯片进行热处理和层压封装的步骤。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述热处理的步骤在层压封装步骤之前。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述热处理的步骤在层压封装步骤之后。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述热处理的步骤在层压封装步骤之前和之后。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述热处理步骤的温度在60-250℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述热处理步骤的时间为20-1000分钟。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述热处理步骤在真空、空气或其它气氛中进行。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述其它气氛包括N2、Ar、H2。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述多结电池包括双结电池、三结电池和四结电池。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述双结电池为非晶硅/微晶硅电池，非晶硅锗/微晶硅电池；
所述三结电池为非晶硅/非晶硅锗/微晶硅，或非晶硅/微晶硅/微晶硅，或非晶硅/非晶硅/微晶硅，或非晶硅锗/非晶硅锗/微晶硅电池，或非晶硅/微晶硅/微晶硅锗电池；
所述四结电池为非晶硅/非晶硅/微晶硅/微晶硅，或非晶硅/非晶硅/非晶硅锗/微晶硅，或非晶硅/非晶硅/微晶硅锗/微晶硅，或非晶硅/非晶硅/微晶硅/微晶硅锗，或非晶硅/非晶硅锗/微晶硅锗/微晶硅，或非晶硅/非晶硅锗/微晶硅/微晶硅电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
