[发明专利]半导体晶圆及半导体封装构造

权利要求书

1.一种半导体晶圆，其特征在于：所述半导体晶圆包含︰

多个芯片，每一所述芯片具有一有源表面及多个成形于所述有源表面上的接垫；

一绝缘层，形成于所述芯片的有源表面上，并具有多个对应裸露所述接垫的开口结构，所述开口结构包含一中心开口及至少两延伸开槽，所述中心开口的孔径小于所述接垫的直径，所述延伸开槽从所述中心开口边缘放射状向外延伸并与所述接垫的边缘保持一间距；

多个凸块下金属层，分别形成于所述开口结构上而电性连接所述接垫；以及

多个导电凸块，分别形成于所述凸块下金属层上。

2.如权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于：至少两所述延伸开槽彼此相对呈180度。

3.如权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于：所述绝缘层的开口结构包含四个所述延伸开槽，任两相邻的所述延伸开槽的夹角呈90度。

4.如权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于：所述绝缘层的开口结构包含八个所述延伸开槽，任两相邻的所述延伸开槽的夹角呈45度。

5.如权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于：所述绝缘层为非导电型有机高分子材料；所述导电凸块是锡凸块或铜柱凸块。

6.如权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于：所述凸块下金属层为镍/金复合层、钛/铜复合层或焊锡材料。

7.一种半导体封装构造，其特征在于：所述半导体封装构造包含︰

一封装基板；

一芯片，通过多个导电凸块电性连接所述封装基板的一表面上，所述芯片具有一有源表面及多个成形于所述有源表面上的接垫，所述有源表面上设有一绝缘层，所述绝缘层具有多个对应裸露所述接垫的开口结构，所述开口结构包含一中心开口及至少两延伸开槽，所述中心开口的孔径小于所述接垫的直径，所述延伸开槽从所述中心开口边缘放射状向外延伸并与所述接垫的边缘保持一间距；每一所述开口结构上设有一凸块下金属层，所述凸块下金属层电性连接所述接垫与所述导电凸块；以及

一封装胶材，设于所述封装基板的表面上而包覆所述芯片。

8.如权利要求7所述的半导体封装构造，其特征在于：至少两所述延伸开槽彼此相对呈180度。

9.如权利要求7所述的半导体封装构造，其特征在于：所述绝缘层的开口结构包含四个所述延伸开槽，任两相邻的所述延伸开槽的夹角呈90度。

10.如权利要求7所述的半导体封装构造，其特征在于：所述绝缘层的开口结构包含八个所述延伸开槽，任两相邻的所述延伸开槽的夹角呈45度。