[发明专利]多层陶瓷电子元件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年3月13日在韩国知识产权局提交的、申请号为10-2012-0025782的韩国专利申请的优先权，在此通过引用将该申请的全部内容并入本申请中。

技术领域

本发明涉及一种多层陶瓷电子元件，更具体地，涉及一种具有优异的可靠性的多层陶瓷电子元件。

背景技术

在用于工业用电子设备中的电子元件中，诸如弯曲、裂缝等缺陷可能导致电子元件的功能的缺失，因此，可靠性很重要。为了防止出现裂缝，已经引入了用导电树脂形成外电极的一部分的技术。

然而，即使在外电极的一部分由导电树脂层形成的情况中，由于产品趋于具有更高的电容，因此覆盖层需要变得更薄。在将电子元件安装到基底上之后，当基底弯曲时，更薄的覆盖层可以导致在电子元件中出现裂缝的可能性。

在用于工业用电子设备中的电子元件的领域中，产品可靠性被认为是很重要的，甚至在由于基底弯曲而出现裂缝的情况中，需要防止裂缝对电子元件的性能造成消极的影响。

[现有技术文件]

(专利文件1)日本专利公开号2007-067239

(专利文件2)日本专利公开号1996-107039

发明内容

本发明的一个方面提供一种具有优异的可靠性的多层陶瓷电子元件。

根据本发明的一个方面，提供了一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：陶瓷主体，该陶瓷主体中具有层压的内电极；和外电极，该外电极形成于所述陶瓷主体的沿所述陶瓷主体的长度方向的两端；其中，每个所述外电极包括第一层和第二层，所述第一层形成在所述陶瓷主体上并且包含导电金属，所述第二层形成在所述第一层上并且包含导电树脂，并且当Tc为所述陶瓷主体的覆盖层的厚度、L1为从所述陶瓷主体的沿所述长度方向的任意一端至形成在所述陶瓷主体的上表面或下表面上的所述第一层的端部的长度、T1为所述陶瓷主体的沿所述陶瓷主体的厚度方向任意一端的所述第一层的的厚度、以及T2为所述陶瓷主体的沿所述厚度方向的任意一端的第二层的的厚度时，满足Tc≤70μm、T2≥1.5T1、以及L1<1.5Tc。

所述多层陶瓷电子元件可以为1005尺寸或更大。

当L2为从所述陶瓷主体的沿长度方向的任意一端至形成在所述陶瓷主体的所述上表面或所述下表面上的所述第二层的端部的长度时，可以满足1.5L1≤L2。

当L2为从所述陶瓷主体的沿所述长度方向的任意一端至形成在所述陶瓷主体的所述上表面或所述下表面上的所述第二层的端部的长度、并且L为所述陶瓷主体的长度时，可以满足L2≤(1/3)L。

当L2为从所述陶瓷主体的沿长度方向的任意一端至形成在所述陶瓷主体的所述上表面或所述下表面上的所述第二层的端部的长度、并且L为所述陶瓷主体的长度时，可以满足1.5L1≤L2≤(1/3)L。

所述导电金属可以包括从由金、银、钯、铜、镍以及它们的合金所构成的组中选取的至少一者。

所述导电树脂可以包括从由银环氧树脂、铜环氧树脂、以及镀铜的银树脂所构成的组中选取的至少一者。

根据本发明的另一个方面，提供了一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：陶瓷主体，该陶瓷主体中具有交替地层压的内电极；和外电极，该外电极形成在所述陶瓷主体的沿所述陶瓷主体的长度方向的两端；其中，每个所述外电极包括第一层和第二层，所述第一层形成在所述陶瓷主体上并且包含导电金属，所述第二层形成所述第一层上并且包含导电树脂，并且当Tc为所述陶瓷主体的覆盖层的厚度、L1为从所述陶瓷主体的沿所述长度方向的任意一端至形成在所述陶瓷主体的上表面或下表面上的所述第一层的端部的长度、L2为从所述陶瓷主体的沿所述长度方向的任意一端至形成在所述陶瓷主体的所述上表面或所述下表面上的所述第二层的端部的长度、以及L为所述陶瓷主体的长度时，满足Tc≤70μm和1.5L1≤L2≤(1/3)L。

所述多层陶瓷电子元件可以为1005尺寸或更大。

所述多层陶瓷电子元件可以满足L1<1.5Tc。

当T1为所述陶瓷主体的沿所述陶瓷主体的厚度方向的任意一端的所述第一层的厚度、并且T2为所述陶瓷主体的沿所述厚度方向的任意一端的所述第二层的厚度时，可以满足T2≥1.5T1。

所述多层陶瓷电子元件可以满足L1<1.5Tc。

所述导电金属可以包括从由金、银、钯、铜、镍以及它们的合金所构成的组中选取的至少一者。