[发明专利]半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

一基板，具有一基板表面；

一第一导电凸起物，位在该基板上并凸出该基板表面，其中该第一导电凸起物具有：

一下导电部分，具有一上表面；以及

一上导电部分，凸出于该下导电部分的该上表面，其中该上导电部分具有一梯形表面或倾斜表面，该梯形表面或倾斜表面是邻接该下导电部分的该上表面；

一晶粒，具有一晶粒表面；

一导电垫，位在该晶粒上；以及

一焊料，其中该晶粒表面垂直于该基板表面，该第一导电凸起物通过该焊料与该导电垫物理连结及电性连结。

2.如权利要求1所述的半导体封装，其中该第一导电凸起物包括多个导电指，该导电垫具有多个导电垫，该焊料连结该导电指与该导电垫之间，该焊料于该导电指之间彼此分离及该焊料于该导电垫之间彼此分离。

3.如权利要求1所述的半导体封装，其中该上导电部分的高度对该下导电部分的高度的比值为0.2至0.5。

4.一种半导体封装，包括：

一基板，具有一基板表面；

一第一导电凸起物，位在该基板上并凸出该基板表面；

一晶粒，具有一晶粒表面；

一导电垫，位在该晶粒上；

一第二导电凸起物，位在该导电垫上并凸出于该晶粒的该晶粒表面；及

一焊料，其中该晶粒表面垂直于该基板表面，该第一导电凸起物通过该焊料与该第二导电凸起物物理连结及电性连结该导电垫。

5.如权利要求4所述的半导体封装，其中该第一导电凸起物包括多个导电指，该导电指具有一导电指表面，该导电垫具有一表面，该晶粒表面是该导电垫的该表面，该第二导电凸起物包括金属凸块，该导电垫通过该第二导电凸起物及该焊料与该导电指物理连结及电性连结。

6.如权利要求4所述的半导体封装，其中该第二导电凸起物的形状包括球状、柱状、线状、T字状。

7.一种半导体封装，包括：

一基板，具有一基板表面；

一第一导电垫，配置在该基板上；

一焊料，配置于该第一导电垫上并凸出该基板表面，

一晶粒，具有一晶粒表面与一切割道；

一第二导电垫，位在该晶粒上；以及

一导电层，从该切割道的该晶粒表面穿入该晶粒中，其中该第二导电垫与该导电层彼此相连，该晶粒表面垂直于该基板表面，该第一导电垫是通过该焊料与该第二导电垫物理连结及电性连结。

8.一种半导体封装的制造方法，包括：

提供一基板，该基板具有一基板表面；

配置一第一导电凸起物在该基板上并凸出该基板表面，其中该第一导电凸起物具有：

一下导电部分，具有一上表面；以及

一上导电部分，凸出于该下导电部分的该上表面，其中该上导电部分具有一梯形表面或倾斜表面，该梯形表面或倾斜表面是邻接该下导电部分的该上表面；

提供一晶粒，该晶粒具有一导电垫于其上，该晶粒具有一晶粒表面；

配置一焊料在该导电垫上；以及

以该晶粒表面垂直于该基板表面的方向，通过该焊料物理连结并电性连结该第一导电凸起物与该导电垫。

9.一种半导体封装的制造方法，包括：

提供一基板，该基板具有一基板表面；

配置一第一导电凸起物在该基板上并凸出该基板表面；

配置一焊料在该第一导电凸起物上；

提供一晶粒，该晶粒具有一导电垫于其上，该晶粒具有一晶粒表面；

配置一第二导电凸起物在该导电垫上并凸出于该晶粒的该晶粒表面；以及

以该晶粒表面垂直于该基板表面的方向，通过该焊料与该第二导电凸起物物理连结及电性连结该第一导电凸起物与该导电垫。

10.一种半导体封装的制造方法，包括：

提供一基板，该基板具有一第一导电垫于其上，该基板具有一基板表面；

配置一焊料于该第一导电垫上并凸出该基板表面；

提供一晶圆，该晶圆具有多个晶粒预定区域与多个填充导电材料的盲孔，其中该些盲孔位于该些晶粒预定区域之间的切割道中；

形成数个第二导电垫，位在该晶粒预定区域上并与该些盲孔电性连结；

沿着该切割道与该些盲孔切割该晶圆形成多个晶粒，切割之后的该些盲孔是形成多个导电层从该晶粒的该切割道的一晶粒表面穿入该晶粒中；以及

以该晶粒表面垂直于该基板表面的方向，通过该焊料将该第一导电垫与该第二导电垫物理连结及电性连结。