[发明专利]光学高温计和使用该光学高温计处理半导体的设备在审

专利信息
申请号: 201310035480.0 申请日: 2013-01-30
公开(公告)号: CN103226043A 公开(公告)日: 2013-07-31
发明(设计)人: 许寅会;申东明;洪钟波;金秋浩;池元秀;金俊佑 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G01J5/02 分类号: G01J5/02;G01J5/04;H01L21/67
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;王占杰
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 光学 高温 使用 处理 半导体 设备
【权利要求书】:

1.一种光学高温计,包括:

具有接收端的接收部,接收端用于接收加热单元的光辐射;以及

壳部,覆盖除接收部的接收端以外的接收部,

其中,接收部的接收端的与接收部的接收端的纵向垂直的截面的面积朝接收部的接收端的端部减小。

2.如权利要求1所述的光学高温计,其中,接收部的接收端具有半球形形状、锥形形状、截圆锥形形状和截多棱锥形形状中的任意一种。

3.如权利要求2所述的光学高温计,其中,锥形形状包括圆锥形形状和多棱锥形形状中的任意一种。

4.如权利要求1所述的光学高温计,所述光学高温计还包括用于将净化气体注入接收部和壳部之间的净化气体注入部。

5.如权利要求4所述的光学高温计,其中,通过净化气体注入部注入的净化气体的流率被设置成使得在接收部的接收端处产生的涡流为最大的值。

6.如权利要求1所述的光学高温计,其中,接收部包括用于传输光的导光管。

7.如权利要求1所述的光学高温计,其中,壳部的端部相对于接收部的接收端的端部突出。

8.一种半导体处理设备,包括:

用于容纳基底的室,所述基底用于处理半导体;

加热单元,用于加热室的内部;以及

高温计,用于检测室的内部的温度,所述高温计包括接收部和壳部,接收部具有接收端,接收端用于接收加热单元的光辐射,壳部覆盖除接收部的接收端以外的接收部,

其中,接收部的接收端的与接收部的接收端的纵向垂直的截面的面积朝接收部的接收端的端部减小。

9.如权利要求8所述的半导体处理设备,其中,接收部的接收端具有半球形形状、锥形形状、截圆锥形形状和截多棱锥形形状中的任意一种。

10.如权利要求9所述的半导体处理设备,其中,锥形形状包括圆锥形形状和多棱锥形形状中的任意一种。

11.如权利要求8所述的半导体处理设备,其中,所述高温计还包括用于将净化气体注入接收部和壳部之间的净化气体注入部。

12.如权利要求11所述的半导体处理设备,其中,通过净化气体注入部注入的净化气体的流率被设置成使得在接收部的接收端处产生的涡流为最大的值。

13.如权利要求8所述的半导体处理设备,其中,接收部包括用于传输光的导光管。

14.如权利要求8所述的半导体处理设备,其中,壳部的端部相对于接收部的接收端的端部突出。

15.如权利要求8所述的半导体处理设备,其中,半导体处理设备是有机化学沉积设备。

16.如权利要求8所述的半导体处理设备,所述半导体处理设备还包括被加热单元加热并用于支持室中的基底的支持物,其中,接收部的接收端被布置成邻近支持物。

17.一种光学高温计,包括:

壳部,包括空心管,所述空心管具有敞开的端部;以及

接收部,具有接收端,所述接收部布置在空心管的内部使得接收端邻近所述敞开的端部,

其中,接收端的截面积沿纵向朝接收端的端部减小。

18.如权利要求17所述的光学高温计,其中,接收部的接收端具有半球形形状、锥形形状、截圆锥形形状和截多棱锥形形状中的任意一种。

19.如权利要求18所述的光学高温计,其中,锥形形状包括圆锥形形状和多棱锥形形状中的任意一种。

20.如权利要求17所述的光学高温计,所述光学高温计还包括用于将净化气体注入接收部和壳部之间的净化气体注入部。

21.如权利要求20所述的光学高温计,其中,通过净化气体注入部注入的净化气体的流率被设置成使得在接收部的接收端处产生的涡流为最大的值。

22.如权利要求17所述的光学高温计,其中,接收部包括用于传输光的导光管。

23.如权利要求17所述的光学高温计,其中,壳部的敞开的端部相对于接收部的接收端的端部突出。

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