[发明专利]发光元件及其制作方法

权利要求书

1.一种发光元件，包含:

两导电层，所述两导电层间具有一开槽；

一可挠性绝缘层，设置于该开槽中并与所述两导电层结合；

一发光晶粒，置于所述两导电层的其中的一导电层上或跨设于该可挠性绝缘层之上，该发光晶粒的一电极连接其中的一导电层，该发光晶粒的另一电极连接另一导电层；以及

一封装体，包覆该发光晶粒。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中该可挠性绝缘层的上表面与该导电层的上表面处于同一水平面上。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中该可挠性绝缘层的厚度小于200微米。

4.如权利要求1所述的发光元件，其中该导电层的厚度大于10微米。

5.一种发光元件，包含:

至少两第一导电层，相邻的第一导电层间具有一开槽；

一可挠性绝缘层，位于该开槽下方并与所述第一导电层结合；

至少两第二导电层，对应地设置于所述第一导电层下方，所述第二导电层的一下表面与该可挠性绝缘层的一下表面处于同一水平面；

至少一发光晶粒，电连接于所述第一导电层；以及

一封装体，包覆该发光晶粒。

6.如权利要求5所述的发光元件，其中该发光晶粒跨设于该可挠性绝缘层之上，该发光晶粒的两电极分别连接于相邻的两个第一导电层。

7.如权利要求6所述的发光元件，其中该封装体至少部分设置于该开槽中，以紧密地包覆该发光晶粒。

8.如权利要求5所述的发光元件，其中该发光元件还包含至少一导线，该导线跨设于该开槽之上，该发光晶粒置于所述两第一导电层的其中的一第一导电层，该导线的一端连接于该发光晶粒的一电极，另一端连接于与该其中的一第一导电层相邻的一第一导电层。

9.如权利要求5所述的发光元件，其中该可挠性绝缘层的厚度小于200微米。

10.如权利要求5所述的发光元件，其中该第一导电层的厚度大于10微米。

11.如权利要求5所述的发光元件，其中该可挠性绝缘层的宽度等于该开槽的宽度。

12.如权利要求5所述的发光元件，其中该可挠性绝缘层的宽度大于该开槽的宽度。

13.如权利要求12所述的发光元件，其中该可挠性绝缘层的宽度一致。

14.如权利要求12所述的发光元件，其中该可挠性绝缘层的宽度随着远离该第一导电层而递增。

15.如权利要求12所述的发光元件，其中该可挠性绝缘层的宽度随着远离该第一导电层而递减。

16.如权利要求5所述的发光元件，其中该发光元件还包含至少两第三导电层，所述第三导电层对应地设置于所述第两导电层下方。

17.如权利要求5所述的发光元件，其中该发光元件还包含一中介层，该中介层设置于该第两导电层下方。

18.如权利要求17所述的的发光元件，其中该发光元件还包含至少两第三导电层，设置于该中介层下方。

19.如权利要求5所述的发光元件，其中该发光元件包含多个发光晶粒，任两相邻的第一导电层之间具有该开槽，该可挠性绝缘层设置于各开槽下方并与第一导电层结合，各发光晶粒置于任两第一导电层的其中的一第一导电层上或跨设于该可挠性绝缘层之上，所述发光晶粒通过所述第一导电层形成串并联连接。

20.一种发光元件的制作方法，包含:

a)提供一第一导电层及一可挠性绝缘层，该可挠性绝缘层位于该第一导电层的下方；

b)于该第一导电层上形成至少一开槽；

c)移除部分的该可挠性绝缘层，使露出至少部分的该第一导电层；

d)于露出该可挠性绝缘层的该第一导电层形成一第两导电层，该第两导电层的一下表面与该可挠性绝缘层的一下表面为于同一水平面；

e)设置至少一发光晶粒于第一导电层上或跨设于可挠性绝缘层之上；以及

f)形成包覆该发光晶粒的一封装体。

21.如权利要求20所述的发光元件的制作方法，其中该制作方法还包含:

形成一中介层于该第两导电层下方。