[发明专利]闪存的可靠性测试方法

说明书

技术领域

本发明属于存储器的测试领域，特别是涉及一种闪存的可靠性测试方法。

背景技术

存储器为计算机系统的记忆设备，用来存放程序和数据。存储器大致可分为两大类：易失存储器和非易失存储器。易失存储器在系统关闭时立即失去存储在内的数据，它需要持续的电源供应以保持数据；非易失存储器在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据，目前应用最为广泛的非易失存储器为闪存（Flash Memory）。

可靠性（Reliability）的定义是：产品在规定条件下和规定时间内完成规定能力的能力。对于闪存而言，数据保持能力（Data Retention）、耐久力（Endurance）、干扰（Disturb）等是评价闪存可靠性的参数，其中，数据保持力指的是闪存存储的数据经过一段时间之后没有失真或丢失还可以有效读出的能力。在闪存制作完成之后准备出厂之前，通常会通过可靠性测试以对闪存的性能进行评价。目前应用较为广泛的可靠性测试方法为加速寿命测试，其利用加大试验应力（诸如热应力、电应力、机械应力等）的方法，激发产品在短时间内产生跟正常应力水平下相同的失效，缩短了测试周期。其中，应用较为广泛的试验应力为热应力。

以判断闪存的数据保持力为例，通常对已经写入数据的闪存进行读出以判断闪存的数据保持力。具体地，在250℃的温度条件下将闪存烘烤72小时之后，读出闪存中存储的数据“1”，获取读出电流，若数据“1”的读出电流大于或等于读出电流判断标准，则表示闪存符合可靠性要求；相反，若数据“1”的读出电流小于读出电流判断标准，则表示闪存不符合可靠性要求。

所述在250℃的温度条件下将闪存烘烤72小时的步骤用于模拟闪存在25℃（室温）条件下使用10年的情况，在高温烘烤的条件下，由于载流子活性的增强，电荷容易丢失，数据保持力严重退化，以此来测量闪存的可靠性。

但是，由于导致闪存数据保持力不佳的失效模式会有多种，而不同的失效模式对应不同的失效反应活化能Ea：当闪存的失效反应活化能Ea较高时，可以利用上述热应力的方法来激发闪存的失效，以此来评估闪存的数据保持力，但是当闪存的失效反应活化能Ea较低时，利用上述热应力的方法并不能激发闪存的失效，因而不能评估闪存的数据保持力。

更多的关于存储器的可靠性测试方法可参考于2012年4月18日公开、公开号为CN102420017A的中国专利申请。

发明内容

本发明的目的是提供一种闪存的可靠性测试方法，以评估失效反应活化能较低的闪存的数据保持力。

为了实现上述目的，本发明提供了一种闪存的可靠性测试方法，其包括：

对闪存进行第一处理之后，从闪存中读取数据，获取第一测试结果，所述第一测试结果为读出电流或读出电压，将第一测试结果与第一判断标准进行比较，以在闪存上设置第一标识或第二标识，设置有第一标识的闪存为不良品，设置有第二标识的闪存为待确认良品；

对设置有第二标识的闪存进行第二处理之后，从闪存中读取数据，获取第二测试结果，所述第二测试结果为读出电流或读出电压，将第二测试结果与第二判断标准进行比较，以在闪存上设置第三标识或第四标识，设置有第三标识的闪存为不良品，设置有第四标识的闪存为良品；

所述第一处理、第二处理步骤中其中一个包括：

向闪存中写入数据；

写入数据之后，向闪存施加第一电压应力，包括：向闪存的源极线施加第一源极线电压、字线施加第一字线电压、位线施加第一位线电压；

另一个包括：

擦除闪存中的数据；

擦除数据之后，向闪存施加第二电压应力，包括：向闪存的源极线施加第二源极线电压、字线施加第二字线电压、位线施加第二位线电压。

可选地，所述第一源极线电压为7V至9V，所述第一字线电压为0V，所述第一位线电压为2V至3V。

可选地，所述第一电压应力的持续时间为1s至3s。

可选地，所述第二源极线电压为0V，所述第二字线电压为5~7V，所述第二位线电压为0V。

可选地，所述第二电压应力的持续时间为1s至3s。