[发明专利]闪存的可靠性测试方法有效
| 申请号: | 201310032785.6 | 申请日: | 2013-01-28 |
| 公开(公告)号: | CN103093834B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
| 发明(设计)人: | 钱亮 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
| 地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 闪存 可靠性 测试 方法 | ||
1.一种闪存的可靠性测试方法,其特征在于,包括:
对闪存进行第一处理之后,从闪存中读取数据,获取第一测试结果,所述第一测试结果为读出电流或读出电压,将第一测试结果与第一判断标准进行比较,以在闪存上设置第一标识或第二标识,设置有第一标识的闪存为不良品,设置有第二标识的闪存为待确认良品;
对设置有第二标识的闪存进行第二处理之后,从闪存中读取数据,获取第二测试结果,所述第二测试结果为读出电流或读出电压,将第二测试结果与第二判断标准进行比较,以在闪存上设置第三标识或第四标识,设置有第三标识的闪存为不良品,设置有第四标识的闪存为良品;
所述第一处理、第二处理步骤中其中一个包括:
向闪存中写入数据;
写入数据之后,向闪存施加第一电压应力,包括:向闪存的源极线施加第一源极线电压、字线施加第一字线电压、位线施加第一位线电压;
另一个包括:
擦除闪存中的数据;
擦除数据之后,向闪存施加第二电压应力,包括:向闪存的源极线施加第二源极线电压、字线施加第二字线电压、位线施加第二位线电压。
2.根据权利要求1所述的闪存的可靠性测试方法,其特征在于,所述第一源极线电压为7V至9V,所述第一字线电压为0V,所述第一位线电压为2V至3V。
3.根据权利要求2所述的闪存的可靠性测试方法,其特征在于,所述第一电压应力的持续时间为1s至3s。
4.根据权利要求1所述的闪存的可靠性测试方法,其特征在于,所述第二源极线电压为0V,所述第二字线电压为5~7V,所述第二位线电压为0V。
5.根据权利要求4所述的闪存的可靠性测试方法,其特征在于,所述第二电压应力的持续时间为1s至3s。
6.根据权利要求1所述的闪存的可靠性测试方法,其特征在于,
所述第一处理包括:向闪存中写入数据;写入数据之后,向闪存施加第一电压应力,所述第一测试结果为读出电流,若所述第一测试结果小于或等于所述第一判断标准则在闪存上设置所述第二标识,否则在闪存上设置第一标识;
所述第二处理包括:擦除闪存中的数据;擦除数据之后,向闪存施加第二电压应力,所述第二测试结果为读出电流,若所述第二测试结果大于或等于所述第二判断标准则在闪存上设置第四标识,否则在闪存上设置第三标识。
7.根据权利要求6所述的闪存的可靠性测试方法,其特征在于,所述第一判断标准为5uA。
8.根据权利要求6所述的闪存的可靠性测试方法,其特征在于,所述第二判断标准为15uA。
9.根据权利要求6所述的闪存的可靠性测试方法,其特征在于,所述第一处理步骤中写入数据及读取数据均为数据“0”,所述第二处理步骤中读取数据为数据“1”。
10.根据权利要求1所述的闪存的可靠性测试方法,其特征在于,
所述第一处理包括:擦除闪存中的数据;擦除数据之后,向闪存施加第二电压应力,所述第一测试结果为读出电流,若所述第一测试结果大于或等于所述第一判断标准则在闪存上设置第二标识,否则在闪存上设置第一标识;
所述第二处理包括:向闪存中写入数据;写入数据之后,向闪存施加第一电压应力,所述第二测试结果为读出电流,若所述第二测试结果小于或等于所述第二判断标准则在闪存上设置所述第四标识,否则在闪存上设置第三标识。
11.根据权利要求10所述的闪存的可靠性测试方法,其特征在于,所述第一判断标准为15uA。
12.根据权利要求10所述的闪存的可靠性测试方法,其特征在于,所述第二判断标准为5uA。
13.根据权利要求10所述的闪存的可靠性测试方法,其特征在于,所述第一处理步骤中读取数据为数据“1”,所述第二处理步骤中写入数据及读取数据均为数据“0”。
14.根据权利要求1所述的闪存的可靠性测试方法,其特征在于,所述第一标识、第二标识、第三标识、第四标识中至少有一个为写在闪存内的标示性数据。
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