[发明专利]NTC热敏电阻用半导体陶瓷组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种NTC热敏电阻用半导体陶瓷组合物，特别涉及至少包含锰(Mn)和钴(Co)作为主成分的NTC热敏电阻用半导体陶瓷组合物。

背景技术

已知NTC热敏电阻适合用于例如温度检测用的用途。近年来，对于温度检测用的NTC热敏电阻，要求得到更高的温度检测精度，具体而言，要求将温度－电阻值的偏差控制在±1％以内。

另一方面，NTC热敏电阻存在由于其制造工序中不可避免遭遇的条件偏差等原因引起的难以避免成品的电阻值的偏差这一问题。因此，例如日本专利特开平8-236308号公报(专利文献1)的段落[0011]中作为现有技术所记载的那样，在接近于NTC热敏电阻的制造的最终工序的阶段加入热处理(退火)工序来应对。该退火工序中，通常施加例如300～500℃左右的温度。

但是，根据热敏电阻用半导体陶瓷组合物所具有的组成系的不同，有时即使通过退火电阻值也不会发生实质性变化。例如，对于含有较多Co的组成系，即使通过退火电阻值也不会发生实质性变化，因此在进行电阻调整时无法采用退火的方法，希望开发出能进行电阻调整的对策。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开平8-236308号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

因此，本发明的目的是使具有含有较多Co的组成系的NTC热敏电阻用半导体陶瓷组合物能够或容易通过退火进行电阻调整。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明针对的是至少包含锰和钴作为主成分的NTC热敏电阻用半导体陶瓷组合物，其特征在于，为了能够或容易通过退火进行电阻调整，还同时包含铝和钛这两种元素作为添加成分。

本发明人发现，至少包含锰和钴作为主成分的NTC热敏电阻用半导体陶瓷组合物中，通过还同时包含铝和钛这两种元素作为添加成分，能够或容易通过退火进行电阻调整，从而完成了本发明。这里，同时包含铝和钛这两种元素是很重要的，仅含有其中一种元素时，无法满足能够或容易通过退火进行电阻调整的要求。

日本专利特开2008-60612号公报中记载，在至少包含Mn和Co作为主成分的NTC热敏电阻用半导体陶瓷组合物中，为了降低烧成温度及防止由镀敷导致的元件侵蚀而添加Ti。但是，该公报中没有关于通过退火进行的电阻调整的启示。此外，段落[0023]有关于添加Al的记载，但这里记载的是添加Al会降低Ti的提高烧结性的效果，否定了Al和Ti的同时添加。

本发明中，将主成分的含量设为100重量份时，钛的含量换算成TiO₂较好是9.2重量份以下。通过像这样控制钛含量，可使由退火导致的电阻值变化幅度较窄，因而可使电阻值的微调变得容易。

发明的效果

藉由本发明，能够或容易通过退火对至少包含锰和钴作为主成分的NTC热敏电阻用半导体陶瓷组合物进行电阻调整，而这种组合物以往无法或难以通过退火进行电阻调整。

因此，可提高使用本发明的NTC热敏电阻用半导体陶瓷组合物而构成的NTC热敏电阻的制造的原材料利用率。还可以简化NTC热敏电阻用半导体陶瓷组合物的制造时的工序管理。因此，可实现NTC热敏电阻的制造成本的削减。

附图说明

图1是使用本发明的半导体陶瓷组合物而构成的层叠型NTC热敏电阻1的图解剖视图。

图2是使用本发明的半导体陶瓷组合物而构成的单板型NTC热敏电阻21的图解剖视图。

符号的说明

1,21 NTC热敏电阻

2,22 部件主体

4,5 内部电极

23,24 电极

具体实施方式

本发明的半导体陶瓷组合物例如可以在图1所示的层叠型NTC热敏电阻1和图2所示的单板型NTC热敏电阻21中使用。首先，参照图1和图2对层叠型NTC热敏电阻1和单板型NTC热敏电阻21的结构进行说明。

参照图1，层叠型NTC热敏电阻1具有实质上为立方体状的部件主体2。部件主体2具有由多个层3构成的层叠结构，在特定的层3之间形成有内部电极4和5。作为构成内部电极4和5的导电成分，可使用例如Ag、Pd或它们的合金。内部电极4和5分为第一内部电极4和第二内部电极5，第一内部电极4和第二内部电极5在层叠方向上交替配置。这里采用第一内部电极4和第二内部电极5隔着部件主体2的一部分对置的结构。