[发明专利]图像装置及其形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及图像传感器装置以及形成图像传感器装置的方法。

背景技术

图像传感器装置是诸如数码静态相机或数码摄像机的数字成像系统中的一个组成部件。图像传感器装置包括检测光以及记录检测光的强度(亮度)的像素阵列(或网格)。像素阵列通过累积电荷响应光(例如，光越多，电荷越多)。然后，累积电荷用于(例如，通过其他电路)提供诸如数码相机的合适应用所使用的颜色或亮度信号。一种类型的图像传感器装置是背照式(BSI)图像传感器装置。BSI图像传感器装置用于感应投射到衬底(其支撑BSI图像传感器装置的图像传感器电路)背面上的光的数量。像素网格位于衬底的正面处，衬底足够薄使得投射到衬底背面上的光能够到达像素网格。与前照式(FSI)图像传感器装置相比，BSI图像传感器装置提供减小的相消干涉。

集成电路(IC)技术正在不断地改进。这种改进通常涉及器件的几何尺寸的规模缩小，以获得更低的制造成本、更高的器件集成密度、更高的速度以及更好的性能。随着由于减小几何尺寸所实现的这些优点，直接针对图像传感器装置进行改进。

由于器件规模缩小，正在不断地进行图像传感器装置技术的改进以进一步提高图像传感器装置的图像质量。虽然现有的图像传感器装置以及制造图像传感器装置的方法通常足以用于它们的预期目的，随着器件规模的不断缩小，它们不能在所有方面完全令人满意。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种形成图像传感器装置的方法，所述方法包括：a.在衬底的正面中形成光电检测器；b.从所述衬底的背面减薄所述衬底；c.从所述背面将掺杂剂引入减薄的衬底中；d.对所述减薄的衬底进行退火；e.在所述减薄的衬底的背面上方沉积抗反射层；f.在所述抗反射层上方形成微透镜；以及g.在步骤b、c、d、e或f中的至少一个步骤之后实施至少一次紫外线(UV)辐射处理。

在该方法中，以约200nm至约410nm的范围内的波长实施所述至少一次UV辐射处理。

在该方法中，实施所述至少一次UV辐射处理一次以上。

在该方法中，在步骤f之后仅实施所述至少一次UV辐射处理一次。

在该方法中，以约3焦耳至约150焦耳的范围内的操作能量实施所述至少一次UV辐射处理。

在该方法中，引入步骤c包括将p型掺杂剂注入所述衬底中。

在该方法中，所述p型掺杂剂包括硼、镓或铟。

该方法进一步包括：形成围绕所述光电检测器的隔离阱。

该方法进一步包括：形成围绕所述光电检测器的掺杂隔离部件。

根据本发明的另一方面，提供了一种形成图像传感器装置的方法，所述方法包括：在衬底的正面中形成光电检测器；从所述衬底的背面减薄所述衬底；从所述背面将掺杂剂引入所述衬底中；在引入所述掺杂剂之后实施紫外线(UV)辐射处理；对所述衬底进行退火；在所述衬底的所述背面上方沉积抗反射层；在所述抗反射层上方形成微透镜。

在该方法中，以约200nm至约410nm的范围内的波长实施所述UV辐射处理。

在该方法中，以约3焦耳至约150焦耳的范围内的操作能量实施所述UV辐射处理。

在该方法中，以约35mV/cm²至约70mV/cm²的范围内的操作强度实施所述UV辐射处理。

在该方法中，所述掺杂剂具有与所述衬底相同的导电类型。

该方法进一步包括：形成围绕所述光电检测器的掺杂隔离部件。

该方法进一步包括在所述抗反射层和所述微透镜之间形成滤色器。

根据本发明的又一方面，提供了一种形成图像传感器装置的方法，所述方法包括：a.在衬底的正面中形成光电检测器；b.从所述衬底的背面抛光所述衬底；c.从所述背面将p型掺杂剂引入抛光的衬底中；d.对所述抛光的衬底进行激光退火；e.在所述激光退火之后在所述抛光的衬底上方沉积抗反射层；f.在所述抗反射层上方形成滤色器，所述滤色器与所述光电检测器基本对准；g.在所述抗反射层上方形成微透镜；以及h.在步骤b、c、d、e、f或g中的至少一个步骤之后实施至少一次紫外线(UV)辐射处理。

在该方法中，以约200nm至约410nm范围内的波长实施所述至少一次UV辐射处理。

在该方法中，实施所述至少一次UV辐射处理一次以上。

在该方法中，在步骤c和g之后都实施所述至少一次UV辐射处理。

附图说明