[发明专利]图像装置及其形成方法

权利要求书

1.一种形成图像传感器装置的方法，所述方法包括：

a.在衬底的正面中形成光电检测器；

b.从所述衬底的背面减薄所述衬底；

c.从所述背面将掺杂剂引入减薄的衬底中；

d.对所述减薄的衬底进行退火；

e.在所述减薄的衬底的背面上方沉积抗反射层；

f.在所述抗反射层上方形成微透镜；以及

g.在步骤b、c、d、e或f中的至少一个步骤之后实施至少一次紫外线(UV)辐射处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，以约200nm至约410nm的范围内的波长实施所述至少一次UV辐射处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，实施所述至少一次UV辐射处理一次以上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤f之后仅实施所述至少一次UV辐射处理一次。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，以约3焦耳至约150焦耳的范围内的操作能量实施所述至少一次UV辐射处理。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，引入步骤c包括将p型掺杂剂注入所述衬底中。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述p型掺杂剂包括硼、镓或铟。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：形成围绕所述光电检测器的隔离阱。

9.一种形成图像传感器装置的方法，所述方法包括：

在衬底的正面中形成光电检测器；

从所述衬底的背面减薄所述衬底；

从所述背面将掺杂剂引入所述衬底中；

在引入所述掺杂剂之后实施紫外线(UV)辐射处理；

对所述衬底进行退火；

在所述衬底的所述背面上方沉积抗反射层；

在所述抗反射层上方形成微透镜。

10.一种形成图像传感器装置的方法，所述方法包括：

a.在衬底的正面中形成光电检测器；

b.从所述衬底的背面抛光所述衬底；

c.从所述背面将p型掺杂剂引入抛光的衬底中；

d.对所述抛光的衬底进行激光退火；

e.在所述激光退火之后在所述抛光的衬底上方沉积抗反射层；

f.在所述抗反射层上方形成滤色器，所述滤色器与所述光电检测器基本对准；

g.在所述抗反射层上方形成微透镜；以及

h.在步骤b、c、d、e、f或g中的至少一个步骤之后实施至少一次紫外线(UV)辐射处理。