[发明专利]一种滁菊离体NaN3诱变育种技术无效
申请号: | 201310029304.6 | 申请日: | 2013-01-27 |
公开(公告)号: | CN103039369A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 张子学;许峰;胡能兵;周玉丽;何克勤;林平 | 申请(专利权)人: | 安徽科技学院 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 233100 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 滁菊离体 nan sub 诱变 育种 技术 | ||
1.一种滁菊离体NaN3诱变育种技术,其特征在于,在离体培养的条件下利用NaN3对滁菊进行诱变育种。
2.根据权利要求书1所述的诱变育种技术,其特征在于,所述的诱变育种过程包括①滁菊离体培养苗的制备、②NaN3化学诱变、③诱变苗的促壮生根、④炼苗和田间栽培、⑤田间选择和室内鉴定,其具体步骤如下:
①离体培养苗的制备:
将滁菊幼茎和嫩叶用中性洗衣粉洗涤并冲洗干净,然后进行表面消毒,将消毒后的幼茎用无菌水漂洗4-5次,然后:
a)将带腋芽茎段或嫩茎尖外植体接种于:MS+NAA 0.1mgL-1培养基,每瓶接种外植体2-3个,20-30天再继代一次,形成大量的无菌苗;
b)或将嫩叶外植体接种于丛芽分化培养基:MS+TDZ 0.1-0.2mgL-1+ NAA0.1-0.2mgL-1或MS+KT 3-4mgL-1+NAA0.1-0.4mgL-1,培养40-50d形成丛芽(图1);
②NaN3化学诱变:
选择生长15d-20d的无菌苗切成带腋芽茎段或剥离茎尖接种于含有NaN3诱变剂的MS+TDZ 0.1-0.2mgL-1+NAA0.1-0.2mgL-1或MS+KT 3-4mgL-1+NAA0.1-0.4mgL-1丛芽分化培养基上,处理35d-45d,使部分茎尖、叶腋或茎段基部形成丛芽(图2、图3);
③诱变苗的促壮生根
将诱变处理形成的丛芽转移到MS+NAA 0.1mgL-1的壮苗培养基上,培养15-20d形成壮苗(图4),将壮苗切成带腋芽茎段接种在1/2MS+NAA 0.1mgL-1的培养基上生根培养7-10d(图5);
④炼苗和田间栽培
将生根苗移栽到细沙育苗盘中,炼苗30-40d,而后定植到大田,进行常规管理;
⑤田间选择和室内鉴定
在开花期根据育种目标要求,在田间选择花朵性状优良的植株(图6),并在室内进行鉴定(图7)。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于步骤①中所述的表面消毒的方法为75%乙醇处理30-90sec,然后用0.1%HgCl2溶液灭菌6-10min。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于所述的表面消毒的最佳方法为75%乙醇处理60sec,然后用0.1%HgCl2溶液灭菌8min。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于步骤②中,在增殖培养基中添加4-10mgL-1 NaN3处理35-45d。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于步骤②中,在增殖培养基中添加NaN3最佳处理浓度6-8mgL-1,处理40-45d。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于步骤①、②和③所述的培养基内琼脂粉的添加量为0.45%。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述离体培养的条件是:培养温度23±2℃,每天光照12h,光照强度1500-2000Lx。
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