[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201310028769.X 申请日: 2013-01-25
公开(公告)号: CN103091919A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 袁洪亮;李伟;解会杰 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L21/77
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制造 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括至少一个阵列结构,其特征在于,

所述阵列结构包括逐行排列的第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元;

所述第一像素单元和所述第三像素单元具有单畴倾斜方向,所述第二像素单元具有多畴倾斜方向;

所述第一像素单元的畴倾斜方向与所述第三像素单元的畴倾斜方向不同;

所述第二像素单元靠近所述第一像素单元一侧的畴倾斜方向与所述第三像素单元的畴倾斜方向相同,其靠近所述第三像素单元一侧的畴倾斜方向与所述第一像素单元的畴倾斜方向相同。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元由横纵交叉的栅线和数据线划分而成;

每个所述像素单元包括梳状的第一电极和面状的第二电极;所述第一电极倾斜排列,用于驱动液晶分子产生畴倾斜方向。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二像素单元为双畴结构。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,

所述第一像素单元区域内的所述第一电极向右倾斜预设角度,所述第三像素单元区域内的所述第一电极向左倾斜所述预设角度,所述第二像素单元区域内的靠近所述第一像素单元一侧的所述第一电极向左倾斜所述预设角度,所述第二像素单元区域内的靠近所述第三像素单元一侧的所述第一电极向右倾斜所述预设角度;或,

所述第一像素单元区域内的所述第一电极向左倾斜预设角度,所述第三像素单元区域内的所述第一电极向右倾斜所述预设角度,所述第二像素单元区域内的靠近所述第一像素单元一侧的所述第一电极向右倾斜所述预设角度,所述第二像素单元区域内的靠近所述第三像素单元一侧的所述第一电极向左倾斜所述预设角度。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述预设角度在5°至7°范围内。

6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,位于每个所述像素单元两侧的所述数据线与所述像素单元内的所述第一电极倾斜角度相同。

7.根据权利要求1-4任一所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极为像素电极,所述第二电极为公共电极;或,

所述第一电极为公共电极,所述第二电极为像素电极。

8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列结构内部的畴倾斜方向对称。

9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至8任一所述的阵列基板。

10.一种阵列基板制造方法,其特征在于,包括:

在透明基板上形成至少一个阵列结构;其中,所述阵列结构包括逐行排列的第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元;所述像素单元由横纵交叉的栅线和数据线划分而成;

在所述像素单元中形成梳状的第一电极和面状的第二电极;所述第一电极倾斜排列,用于驱动液晶分子产生畴倾斜方向;其中,所述第一像素单元和所述第三像素单元具有单畴倾斜方向,所述第二像素单元具有多畴倾斜方向;所述第一像素单元的畴倾斜方向与所述第三像素单元的畴倾斜方向不同;所述第二像素单元靠近所述第一像素单元一侧的畴倾斜方向与所述第三像素单元的畴倾斜方向相同,其靠近所述第三像素单元一侧的畴倾斜方向与所述第一像素单元的畴倾斜方向相同。

11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述第二像素单元为双畴结构。

12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,

所述第一像素单元区域内的所述第一电极向右倾斜预设角度,所述第三像素单元区域内的所述第一电极向左倾斜所述预设角度,所述第二像素单元区域内的靠近所述第一像素单元一侧的所述第一电极向左倾斜所述预设角度,所述第二像素单元区域内的靠近所述第三像素单元一侧的所述第一电极向右倾斜所述预设角度;或,

所述第一像素单元区域内的所述第一电极向左倾斜预设角度,所述第三像素单元区域内的所述第一电极向右倾斜所述预设角度,所述第二像素单元区域内的靠近所述第一像素单元一侧的所述第一电极向右倾斜所述预设角度,所述第二像素单元区域内的靠近所述第三像素单元一侧的所述第一电极向左倾斜所述预设角度。

13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述预设角度在5°至7°范围内。

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