[发明专利]一种MgO纳米带-C纳米管复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种MgO纳米带-C纳米管复合材料的制备方法，其特征在于：采用射频等离子体增强CVD系统制备，步骤如下：

1）将六水合硝酸镍和六水合硝酸镁溶于乙醇中，制得混合溶液作为催化剂前驱体；

2）将上述混合溶液均匀滴涂在基片上，置于红外灯下烘干，然后放于射频等离子体增强CVD系统沉积室的沉积台上；

3）关闭沉积室并抽真空，当真空度小于0.1Pa时，通入流量为5-200mL/min的保护气体和10-300mL/min的H₂，当压强回升至100-1000Pa时，将样品台在350-1000℃的条件下加热0.5-2.5小时，使前驱物热分解形成MgO和NiO；

4）施加50-500W的射频功率，在氢等离子体的作用下还原NiO，还原时间为0.5-2.5小时，形成Ni纳米金属颗粒，获得MgO纳米带-C纳米管复合材料生长所需的Ni-MgO催化体系；

5）通入气体流量为10-200mL/min的碳源气体，在压强为20-1000Pa、衬底温度为300-1000℃条件下，施加射频功率50-500W，反应0.5-4.5个小时，连续生长即可制得MgO纳米带-C纳米管复合材料。

2.根据权利要求1所述MgO纳米带-C纳米管复合材料的制备方法，其特征在于：所述混合溶液中六水合硝酸镍和六水合硝酸镁的摩尔比为10-1:1-10，六水合硝酸镍和六水合硝酸镁的总量与乙醇的用量比为0.1-2mol/L。

3.根据权利要求1所述MgO纳米带-C纳米管复合材料的制备方法，其特征在于：所述基片为硅、玻璃或石英。

4.根据权利要求1所述MgO纳米带-C纳米管复合材料的制备方法，其特征在于：所述保护气体为氩气或氦气。

5.根据权利要求1所述MgO纳米带-C纳米管复合材料的制备方法，其特征在于：所述碳源气体为甲烷、乙炔或乙烯。