[发明专利]黑电平校正(BLC)结构

权利要求书

1.一种黑电平校正(BLC)结构，包括：

第一区域，包括硅；

第二区域，包括：

第一子区域，包括金属硅化物，至少一部分所述第一子区域位于至少一部分所述第一区域之上；

第二子区域，包括金属，至少一部分所述第二子区域位于至少一部分所述第一子区域之上；和

第三子区域，包括金属氧化物，至少一部分所述第三子区域位于至少一部分所述第二子区域之上；以及

第三区域，包括钝化电介质，至少一部分所述第三区域位于至少一部分所述第二区域之上。

2.根据权利要求1所述的黑电平校正(BLC)结构，所述第三子区域被配置为将光反射远离所述BLC结构。

3.根据权利要求1所述的黑电平校正(BLC)结构，以叠层形式配置所述第二区域的所述第一子区域、所述第二子区域和所述第三子区域中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的黑电平校正(BLC)结构，所述第三子区域的所述金属氧化物与大于5的介电常数相关。

5.根据权利要求1所述的黑电平校正(BLC)结构，至少一部分所述第二区域嵌入到所述第一区域中。

6.根据权利要求5所述的黑电平校正(BLC)结构，至少一部分所述第一子区域嵌入到所述第一区域中。

7.根据权利要求5所述的黑电平校正(BLC)结构，至少一部分所述第二子区域嵌入到所述第一区域中。

8.根据权利要求5所述的黑电平校正(BLC)结构，至少一部分所述第三子区域嵌入到所述第一区域中。

9.一种与黑电平校正(BLC)结构相关的图像传感器，包括：

基底区域；

金属间区域，位于所述基底区域之上；

层间区域，位于所述金属间区域之上；

互连件，位于所述金属间区域内，所述互连件位于所述基底区域和所述层间区域之间；

第一区域，包括硅，所述第一区域位于所述层间区域之上；

第二区域，包括：

第一子区域，包括金属硅化物，至少一部分所述第一子区域位于至少一部分所述第一区域之上；

第二子区域，包括金属，至少一部分所述第二子区域位于至少一部分所述第一子区域之上；和

第三子区域，包括金属氧化物，至少一部分所述第三子区域位于至少一部分所述第二子区域之上；以及

第三区域，包括钝化电介质，至少一部分所述第三区域位于至少一部分所述第二区域之上。

10.一种黑电平校正(BLC)结构，包括：

第一区域，包括硅；

第二区域，包括：

第一子区域，包括金属硅化物，至少一部分所述第一子区域嵌入到所述第一区域中；

第二子区域，包括金属，至少一部分所述第二子区域位于至少一部分所述第一子区域之上；和

第三子区域，包括金属氧化物，至少一部分所述第三子区域位于至少一部分所述第二子区域之上；以及

第三区域，包括钝化电介质，至少一部分所述第三区域位于至少一部分所述第二区域之上。