[发明专利]形成叠层封装结构的方法

权利要求书

1.一种形成叠层封装结构的方法，包括：

将半导体管芯附接在晶圆的第一面上；

将第一顶部封装件附接在所述晶圆的所述第一面上；

将第二顶部封装件附接在所述晶圆的所述第一面上；

在所述晶圆的所述第一面上方沉积封装层，所述第一顶部封装件和所述第二顶部封装件嵌入到所述封装层中；

对所述晶圆的第二面施加减薄工艺直到暴露出所述晶圆的通孔的内嵌端部；

在对所述晶圆的所述第二面施加所述减薄工艺的步骤之后，在所述晶圆的所述第二面上方形成再分布层，其中，所述再分布层与所述晶圆的通孔直接接触，并且所述再分布层的边缘延伸越过所述通孔的对应的边缘；

将切割带附接在所述晶圆的所述第二面上，其中，所述再分布层与所述切割带直接接触；

对所述晶圆施加切割工艺，直到所述切割带的一部分在所述切割工艺期间被去除，其中，在对所述晶圆施加所述切割工艺之后，所述晶圆被切割成多个芯片封装件；以及

将所述芯片封装件附接至衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述晶圆的所述第二面上方形成所述再分布层的步骤之后，在所述晶圆的所述第二面上方形成多个凸块。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在将所述晶圆切割成多个芯片封装件的步骤之后，在所述晶圆的所述第二面上方形成多个凸块。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述晶圆和所述半导体管芯之间形成第一底部填充层。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述晶圆和所述衬底之间形成第二底部填充层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶圆包括：

第一再分布层，位于所述晶圆的所述第一面上；以及

多个通孔，连接至所述第一再分布层。

7.一种形成叠层封装结构的方法，包括：

将第一半导体管芯附接在晶圆的第一面上；

将第二半导体管芯附接在所述晶圆的所述第一面上；

将第一顶部封装件附接在所述晶圆的所述第一面上，所述第一半导体管芯位于所述晶圆和所述第一顶部封装件之间；

将第二顶部封装件附接在所述晶圆的所述第一面上，所述第二半导体管芯位于所述晶圆和所述第二顶部封装件之间；

在所述晶圆的所述第一面上方沉积封装层，所述第一半导体管芯、所述第二半导体管芯、所述第一顶部封装件和所述第二顶部封装件嵌入到所述封装层中；

对所述晶圆的第二面施加减薄工艺直到暴露出所述晶圆的通孔的内嵌端部；

在对所述晶圆的所述第二面施加所述减薄工艺的步骤之后，在所述晶圆的所述第二面上方形成再分布层，其中，所述再分布层与所述晶圆的通孔直接接触，并且所述再分布层的边缘延伸越过所述通孔的对应的边缘；

将切割带附接在所述晶圆的所述第二面上，其中，所述再分布层与所述切割带直接接触；

对所述晶圆施加切割工艺，直到所述切割带的一部分在所述切割工艺期间被去除，其中，在对所述晶圆施加所述切割工艺之后，所述晶圆被切割成多个芯片封装件；以及

将所述芯片封装件附接至衬底。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在所述晶圆和所述第一半导体管芯之间形成第一底部填充层；以及

在所述晶圆和所述第二半导体管芯之间形成第二底部填充层。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在所述晶圆和所述衬底之间形成第三底部填充层。

10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

将所述晶圆附接至载具；以及

在所述晶圆的所述第二面上方形成多个凸块。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

在将所述晶圆切割成所述多个芯片封装件的步骤之前，将所述载具与所述晶圆分离。