[发明专利]一种在管式基底上制备半导体薄膜的生产设备

权利要求书

1.一种在管式基底上制备半导体薄膜的生产设备，用于在管式太阳能电池的管式基底（0）上制备半导体薄膜，其特征在于，所述生产设备包括：液相循环加热系统和反应槽（2）；其中，所述液相循环加热系统包括高温加热箱（11）、输出管（12）及回流管（13）；所述反应槽（2）内盛放反应溶液，相对的两壁面的相应位置设置有通孔，管式基底（0）通过基底接口（21）从通孔密封插入反应槽（2），并通过所述基底接口（21）分别与输出管（12）和回流管（13）连接；所述高温加热箱（11）内盛放加热液体，加热液体通过输出管（12）流入管式基底（0）的内壁，再通过回流管（13）流回到高温加热箱（11）。

2.如权利要求1所述的生产设备，其特征在于，所述反应槽（2）的相对的两壁面的相应位置设置有多对通孔，从而多个管式基底（0）分别通过基底接口（21）从通孔插入反应槽（2）中，连接管（22）将各个相邻的管式基底（0）依次首尾串联连接，所述连接管（22）与管式基底（0）之间通过所述基底接口（21）密封连接。

3.如权利要求1所述的生产设备，其特征在于，进一步，所述生产设备还包括反应溶液溢流循环系统，所述溢流循环系统包括：N个原液容器（31～3N）、配液槽（4）和溢出槽（6）；其中，所述N个原液容器（31～3N）分别通过各自的管道连接至配液槽（4）；所述配液槽（4）通过管道连接至反应槽（2）；所述反应槽（2）通过管道从顶壁连接至溢出槽（6）；所述溢出槽（6）通过管道从顶壁连接至配液槽（4），N为自然数。

4.如权利要求3所述的生产设备，其特征在于，进一步所述溢流循环系统设置有储液槽（5），储液槽（5）处于冷藏环境，所述配液槽（4）通过管道连接至储液槽（5），所述储液槽（5）经过管道连接至反应槽（2）。

5.如权利要求4所述的生产设备，其特征在于，所述配液槽（4）、储液槽（5）和溢出槽（6）的顶部设置有各自的液位计（44）、（54）和（64）。

6.如权利要求4所述的生产设备，其特征在于，所述N个原液容器（31～3N）31～3N与配液槽（4）相连接的各个管道上、配液槽（4）与储液槽（5）相连接的管道上、储液槽（5）与反应槽（2）相连接的管道上以及溢出槽（6）与配液槽（4）相连接的管道上，分别设置有各自的阀门和液泵（V31～V3N）和（P31～P3N）、（V4）和（P4）、（V5）和（P5）以及（V6）和（P6）。

7.如权利要求6所述的生产设备，其特征在于，进一步包括检测控制中心（8），通过控制线分别连接至所述N个原液容器（31～3N）与配液槽（4）相连接的管道上的各个阀门（V31～V3N）及所述配液槽（4）与储液槽（5）相连接的管道上的阀门（V4）。

8.如权利要求3所述的生产设备，其特征在于，所述溢流循环系统还包括废液处理槽（7），所述溢出槽（6）通过管道从底部连接至废液处理槽（7）。

9.如权利要求4所述的生产设备，其特征在于，所述储液槽（5）通过管道从反应槽（2）的底部连接至反应槽（2）。

10.如权利要求1所述的生产设备，其特征在于，在所述液相循环加热系统的输出管（12）上设置有液泵（P12）和阀门（V12）。