[发明专利]一种高效太阳能电池制备方法

说明书

技术领域

本发明属于太阳能电池制作领域，具体涉及一种高效太阳能电池的制备方法。 

背景技术

晶硅太阳能电池片的制造工艺一般有如下几个步骤：化学清洗及表面织构化处理、扩散制结、边缘刻蚀和去磷硅玻璃、沉积减反射膜、印刷电极、烧结。晶硅太阳能电池扩散制结一般采用有源沉积和无源推进两步扩散实现，有源沉积控制掺杂总量，无源推进控制表面浓度和结深；沉积减反射氮化硅膜实现表面的减反射和钝化。

扩散制结制程因硅片表面存在一层磷硅玻璃，导致扩散后发射极表面浓度较高，表面复合较严重；氮化硅膜吸杂钝化效果较差。综上两种因素，导致晶硅电池的Uoc和Isc较低，导致晶硅电池转换效率较低。 

发明内容

本发明的目的就是针对上述缺陷而提供一种高效太阳能电池制备方法，该方法是在常规太阳能电池的制造过程中的去PSG制程后增加一步氧化制程并搭配调整扩散制程工艺，以在硅片表面形成一层二氧化硅吸杂钝化层并使电池N型层杂质进行二次分布，以减少电池表面和N型层复合，使电池产生较高的Uoc和Isc，提升了电池的转换效率。

本发明的一种高效太阳能电池制备方法，包括化学清洗及表面织构化处理、扩散制结、边缘刻蚀和去磷硅玻璃、沉积减反射膜、印刷电极、烧结步骤，在去磷硅玻璃制程后对硅片进行氧化，在硅片表面形成一层二氧化硅钝化层。

扩散后N型层方阻为70ohm/□~95ohm/□。

扩散后N型层方阻优选为75ohm/□~90ohm/□。

氧化后N型层方阻为65 ohm/□~85 ohm/□。

扩散制结工艺步骤可以为一步沉积，沉积温度为750℃~850℃，沉积气氛为氮气、三氯氧磷和氧气的混合气体，气体流量依次为4slm~15slm、500sccm~2000sccm、100sccm~2000sccm，沉积时间为5min~25min。

扩散制结工艺步骤也可以分为沉积、推进，沉积温度为750℃~840℃，推进温度为790℃~850℃，沉积气氛为氮气、三氯氧磷和氧气的混合气体，气体流量依次为4slm~15slm、500sccm~2000sccm、100sccm~2000sccm，推进气氛为氮气和氧气混合气体，气体流量依次为4slm~20slm、100sccm~3000sccm，沉积时间为5min~20min，推进时间为1min~15min。

扩散制结工艺步骤也可以分为沉积、第一步推进和第二步推进，沉积温度为750℃~830℃，第一步推进温度为790℃~840℃，第二步推进温度为800℃~850℃，沉积气氛为氮气、三氯氧磷和氧气的混合气体，气体流量依次为4slm~15slm、500sccm~2000sccm、100sccm~2000sccm，推进气氛为氮气和氧气混合气体，气体流量依次为4slm~20slm、100sccm~3000sccm，沉积时间为5min~15min，第一步推进时间为1min~10min，第二步推进时间为1min~10min。

氧化制程工艺温度800℃~870℃,氧化气氛为氮气和氧气混合气体，氮气流量为3slm~20slm，氧气流量为100sccm~2000sccm，氧化时间为1min~20min。

氧化制程工艺温度800℃~850℃,氧化气氛为氮气和氧气混合气体，氮气流量为5slm~10slm，氧气流量为200sccm~1000sccm，氧化时间为3min~10min。

本发明的有益效果是：一种高效太阳能电池制备方法，在常规晶硅太阳能电池制备工艺的基础上，调整扩散工艺，在去PSG制程后增加一步氧化制程，以在硅片表面形成一层二氧化硅吸杂钝化层并使电池N型层杂质进行二次分布，以减少电池表面和N型层复合，使电池产生较高的Uoc和Isc，提升了电池的转换效率，实现太阳电池0.30%±0.10%的效率提升。该方法对当前晶硅太阳能电池产线进行简单改造即可实现，氧化工艺可直接在扩散炉中进行，迅速实现量产。通过调整扩散工艺，可以降低扩散工艺时间，提升扩散炉产能，将节省扩散炉管直接作为氧化炉管使用。高效电池具有巨大的市场价值。

具体实施方式

为了更好地理解本发明，下面用具体实例来详细说明本发明的技术方案，但是本发明并不局限于此。

实施例1