[发明专利]氧化铝基板的割断方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种刻划氧化铝基板后进行分断的氧化铝基板的割断方法。

背景技术

以往在割断玻璃基板时，是利用刻划装置进行刻划(形成刻划线)，之后利用分断装置予以分断。在利用刻划装置进行刻划的情况下，若刻划深度较浅，则在分断时端面容易产生龟裂。另一方面，若深度较深则容易分离，且之后即便分断后端面的毛刺亦较小、或者不易产生龟裂，端面品质趋于良好。因此，通过将龟裂渗透率加深为例如板厚的80％左右，而可提升品质地进行割断。

但是，由于陶瓷基板比玻璃基板硬，因此在通过刻划和分断进行割断时，刻划轮容易产生磨损。所以，通常在切断时，是通过切割(dicing)来执行分断。

专利文献1中，提出了一种方法，针对陶瓷基板中硬度较低的低温共烧陶瓷基板(LTCC(Low Temperature Co Fired Ceramic)基板)，不进行切割而是进行刻划，从而予以分断。

[先行技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2010-194784号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

发明者等人使用刀尖角度为120°的刻划轮，使针对LTCC基板的龟裂渗透率在10％～80％内变化而进行刻划，之后予以分断。针对分断后的端面，测量中心线平均粗糙度Ra及最大高度Ry，作为粗糙度评估。图1A、图1B是表示所述变化的曲线。此时，如图1A、图1B所示，发明者等人发现：无关于龟裂渗透率，分断后的端面的粗糙度不怎么变化；及龟裂渗透率为20％以下时断面产生龟裂，分断后的端面的品质劣化。

另一方面，本发明者等人发现：在用作电子零件的安装用基板的氧化铝基板等中，若使用刀尖角度为120°的刻划轮，并增大龟裂渗透率，则存在这种趋势不成立，端面品质反而劣化的情况。

本发明的目的在于通过刻划并分断氧化铝基板而予以分断的情况下，提升端面的品质。

[解决问题的技术手段]

为了解决所述问题，本发明的割断方法是氧化铝基板的割断方法，针对氧化铝基板，使用刀尖角度超过135°的角度(优选为140°以上、通常为170°以下、尤其是160°以下)的刻划轮，以20％以上(优选为30％以上、尤其是40％以上、通常为80％以下)的龟裂渗透率，进行刻划，并沿着利用所述刻划轮形成的刻划线而予以分断。

于此，龟裂渗透率亦可为50％以上。

[发明的效果]

根据具有此种特征的本发明，针对氧化铝基板，使用刀尖角度超过135°的角度的刻划轮，以龟裂渗透率为20％以上的状态进行刻划，之后予以分断。这样，能够以较小的分断负载，确保端面的品质地割断氧化铝基板。

附图说明

图1A是表示针对LTCC基板改变龟裂渗透率时的端面的中心线平均粗糙度Ra的曲线。

图1B是表示针对LTCC基板改变龟裂渗透率时的端面的最大高度Ry的曲线。

图2A是表示针对本发明的对象即氧化铝基板，使用刀尖角度140°的刻划轮，并改变龟裂渗透率时的端面的中心线平均粗糙度Ra的曲线。

图2B是表示针对本发明的对象即氧化铝基板，使用刀尖角度140°的刻划轮，并改变龟裂渗透率时的端面的最大高度Ry的曲线。

图3A是表示针对氧化铝基板，使用刀尖角度140°的刻划轮，并将龟裂渗透率设为10％时的端面的图。

图3B是表示针对氧化铝基板，使用刀尖角度140°的刻划轮，并将龟裂渗透率设为20％时的端面的图。

图3C是表示针对氧化铝基板，使用刀尖角度140°的刻划轮，并将龟裂渗透率设为30％时的端面的图。

图3D是表示针对氧化铝基板，使用刀尖角度140°的刻划轮，并将龟裂渗透率设为70％时的端面的图。

图4是表示针对本发明的对象即氧化铝基板而改变龟裂渗透率时的抗折强度的变化的曲线。

图5A是表示针对本发明的比较例的氧化铝基板，使用刀尖角度120°的刻划轮，并改变龟裂渗透率时的端面的中心线平均粗糙度Ra的曲线。

图5B是表示针对本发明的比较例的氧化铝基板，使用刀尖角度120°的刻划轮，并改变龟裂渗透率时的端面的最大高度Ry的曲线。

图6A是表示针对本发明的比较例的氧化铝基板，使用刀尖角度120°的刻划轮，并将龟裂渗透率设为10％时的端面的图。