[发明专利]NAND闪存及对其施加偏压的方法

权利要求书

1.一种存储器，包括：

多个感测节点及多个参考节点；

多个存储器单元串行，各串行被配置为将该多个感测节点及该多个参考节点中的一对应感测节点及一对应参考节点相连接，并包括一串行选择开关，用于选择性地连接该串行至该相对应感测节点，以及一接地选择开关，用于选择性地连接该串行至该相对应参考节点；

多条字线、至少一串行选择线以及一接地选择线，该多条字线中的字线耦接至该多个串行中的对应存储器单元，该至少一串行选择线耦接至该多个串行中的对应串行选择开关，且该接地选择线耦接至该多个串行中的对应接地选择开关；以及

逻辑及电路，耦接至该多条字线，以施加一偏压配置，偏压配置包括：

一第一期间，其中一第一电压被设定在一选定字线上，高于该第一电压的一第二电压被设定在该多条字线中的未选定字线上，以及位于该选定串行中的该选定存储器单元的两侧上的多个存储器单元的该半导体本体被耦接至一参考电压；

一第二期间，其中该选定串行的该串行选择开关被断开，且多个位线电压被设定至一选定串行的该感测节点；以及

一第三期间，其中该选定串行的该串行选择开关被导通，且如果其阈值低于该第一电压的话，则电流在该选定存储器单元中流动。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中该偏压配置更包括：

在该第一期间及该第二期间，将一第一参考电压设定在对应于该选定串行的该参考节点上；

至少在该第一期间的一期间的一第一部分期间，将一第二参考电压设定在对应于该选定串行的该感测节点上，并在该第二期间导致该位线电压转态至一设定电压；以及

将一串行选择电压设定在该选定串行的一串行选择线上，以使该选定串行的该串行选择开关是在该第二期间被断开而在该第一期间的一期间的该第一部分期间被导通。

3.根据权利要求1所述的存储器，其中该偏压配置更包括在该第一期间的一期间的至少一部分期间将该选定字线设定至一初始电压，以及在至少该第三期间将该选定字线设定至该第一电压，该选定字线上的该初始电压被设定为高于该存储器的一最高阈值状态的多个存储器单元的阈值。

4.根据权利要求2所述的存储器，其中该偏压配置更包括在该第一期间的一期间的至少一第二部分期间将该选定字线设定至一初始电压，以及在至少该第三期间将该选定字线设定至该第一电压，该选定字线上的该初始电压被设定为高于该存储器的一最高阈值状态的多个存储器单元的阈值。

5.根据权利要求2所述的存储器，其中该偏压配置更包括在多个未选定串行的对应的串行选择开关上设定一未选定串行选择电压，以使该多个未选定串行的该多个对应的串行选择开关是在该第一期间的至少该第一部分期间被导通，而在该第二期间断开。

6.根据权利要求3所述的存储器，其中该偏压配置更包括在多个未选定串行的对应的串行选择开关上设定一未选定串行选择电压，以使该多个未选定串行的该多个对应的串行选择开关是在该第二期间、该第一期间的至少该部分以及该第三期间的至少一部分期间断开。

7.根据权利要求4所述的存储器，其中该偏压配置更包括多个未选定串行的对应的串行选择开关上设定一未选定串行选择电压，以使该多个未选定串行的该多个对应的串行选择开关是在该第一期间的一期间的至少该第一部分期间被导通，而在该第二期间断开。

8.根据权利要求2所述的存储器，其中该偏压配置更包括将一开关开路电压设定在接地选择线上以及设定至耦接至该选定串行的该对应的串行选择晶体管的该至少一条串行选择线上，该开关开路电压在该第三期间的一部分期间被施加，以使该选定串行的该串行选择开关及该多个串行的该多个对应的接地选择开关是在该第三期间的该部分期间断开，该开关开路电压是在该第三期间被施加。

9.根据权利要求8所述的存储器，其中该偏压配置更包括在该第三期间的一期间的该部分期间将该开关开路电压设定在耦接至多个未选定串行的对应串行选择开关的多条串行选择线，以使该多个未选定串行的该多个对应串行选择开关是在该感测期间的该部分期间被导通，该开关开路电压是在该感测期间被施加。

10.根据权利要求1所述的存储器，其中该多串行存储器单元被配置成为在一3D阵列中的多个NAND串行。