[发明专利]内存测试方法在审

专利信息
申请号: 201310024901.X 申请日: 2013-01-23
公开(公告)号: CN103943151A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 陈育钲;张家维 申请(专利权)人: 昆达电脑科技(昆山)有限公司;神达电脑股份有限公司
主分类号: G11C29/08 分类号: G11C29/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215300 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 内存 测试 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种测试方法,尤其涉及一种性能优良的内存测试方法。

背景技术

内存是电脑的主要组成部分,直接决定电脑系统性能,一旦内存出现故障,便会造成系统读写错误,导致数据丢失,因而对内存进行测试尤为重要。

传统的内存测试方法弊端较多,不仅测试时间长,而且测试步骤繁琐。

发明内容

鉴于上述问题,本发明提供了一种不仅省时,而且出错少、测试效率高的内存测试方法。

为了达到上述目的,本发明采用了如下的技术方案:一种内存测试方法,其主要适用于对主板的内存模块进行测试,其中,该方法主要包括以下步骤:

步骤a.选择若干组测试条件及相应需测试的参数;

步骤b.计算提供到内存模块进行测试的信号的频率、电压、上升斜率及下降斜率;

步骤c.设定频率产生器产生的信号的频率、电压、上升斜率及下降斜率;

步骤d.设定需量测的信号的参数;

步骤e.将步骤c中设定好频率、电压、上升斜率及下降斜率的信号传送至内存模块中进行测试;

步骤f.判断是否量测到信号输出,若否,则继续量测;若是,则存储量测的信号的参数值;以及

步骤g.判断是否按设定的测试条件将测试参数测试完毕,若否,则返回步骤b,若是,则显示测试完毕后量测的参数值,并判断是否通过测试。

较佳的,本发明提供了一种内存测试方法,其中,所述步骤g中将量测的参数值制作成表格显示。

较佳的,本发明提供了一种内存测试方法,其中,所述步骤c中所述频率产生器产生的信号为方波。

较佳的,本发明提供了一种内存测试方法,其中,所述步骤a中所述需测试的参数主要包括频率、电压、上升斜率及下降斜率。

较佳的,本发明提供了一种内存测试方法,其中,所述步骤e所述的信号传送至内存模块中依据英特尔测试规范进行测试。

相较于先前技术,本发明提供了一种内存测试方法,不仅节省测试时间,而且测试过程中出错少,测试效率高。

附图说明

图1为本发明的流程图

具体实施方式

请参照图1所示,为本发明的流程图。本发明提供了一种内存测试方法,不仅节省测试时间,而且测试过程中出错少,测试效率高。

其中,该内存测试方法主要适用于对主板的内存模块进行测试,其主要包括以下步骤:

步骤101.选择若干组测试条件及相应需测试的参数;

步骤102.计算提供到内存模块进行测试的信号的频率、电压、上升斜率及下降斜率;

步骤103.设定频率产生器产生的信号的频率、电压、上升斜率及下降斜率;

步骤104.设定需量测的信号的参数;

步骤105.将步骤103中设定好频率、电压、上升斜率及下降斜率的信号传送至内存模块中进行测试;

步骤106.判断是否量测到信号输出,若否,则继续量测;若是,则到步骤107:存储量测的信号的参数值;以及

步骤108.判断是否按设定的测试条件将测试参数测试完毕,若否,则返回步骤102,若是,则到步骤109:显示测试完毕后量测的参数值,并判断是否通过测试。

又,所述步骤108中将量测的参数值制作成表格显示,所述步骤103中所述频率产生器产生的信号为方波,所述步骤101中所述需测试的参数主要包括频率、电压、上升斜率及下降斜率,所述步骤105所述的信号传送至内存模块中依据英特尔测试规范进行测试。

该频率产生器产生方波讯号,此方波讯号依照英特尔测试规范条件输入最大值、最小值及Fdge time(边缘时间),产生的方波讯号送入存储有上述内存测试方法程序的测试治具,该测试治具即仿真动态负载,并将该测试治具插接于待测主板中的内存插槽上,以便依据英特尔测试规范条件进行测试。

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