[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构，包含：

上绝缘部与下绝缘部，位于一基底的一沟槽中，其中该下绝缘部包含第一绝缘体以及位于该第一绝缘体的周壁及底面的一绝缘层，该第一绝缘体的顶面与该绝缘层的顶面为共平面，该上绝缘部包含第二绝缘体以及位于该第二绝缘体的周壁及底面的一缓冲层，部分的该缓冲层中介于该第一绝缘体与该第二绝缘体之间，且该缓冲层的外周壁与该第一绝缘体的周壁齐平，其中该基底上包含掩模层，该缓冲层的外周壁低于周围的该掩模层的顶面且高于该掩模层的底面。

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其中该第一绝缘体与该第二绝缘体的材质为氧化硅。

3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其中该缓冲层的材质包含氮化硅、或氮碳化硅。

4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其中该浅沟槽隔离结构为鳍状场效晶体管之间的隔离结构。

5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其中该上绝缘部的顶面高于周遭的该基底。

6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其中该基底上还包含垫氧化层。

7.一种浅沟槽隔离结构，包含：

上绝缘部与下绝缘部，位于一基底的一沟槽中，其中该下绝缘部包含第一绝缘体以及位于该第一绝缘体的周壁及底面的一绝缘层，该第一绝缘体的顶面与该绝缘层的顶面为共平面，且相邻的该浅沟槽隔离结构的该绝缘层相结合成一共同绝缘层，该上绝缘部包含第二绝缘体以及位于该第二绝缘体的周壁的一缓冲层，该第一绝缘体与该第二绝缘体相接，且该缓冲层的外侧壁与该第一绝缘体的周壁齐平。

8.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构，其中该缓冲层的材质包含氮化硅、或氮碳化硅。

9.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构，其中该第一绝缘体与该第二绝缘体的材质为氧化硅。

10.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构，其中该浅沟槽隔离结构为鳍状场效晶体管之间的隔离结构。

11.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构，其中该上绝缘部的顶面高于周遭的该基底。

12.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构，其中该基底上还包含垫氧化层以及掩模层。

13.一种形成浅沟槽隔离结构的方法，其包含下列步骤：

在一基底中形成一沟槽；

在该沟槽的下部中填入一第一绝缘层并在该沟槽的上部界定出一凹部；

在该凹部的侧壁及底面上形成一缓冲层；

在该凹部中填入一第二绝缘层；以及

进行一蒸汽退火制作工艺使得该第一绝缘层周围的该基底转变为一氧化层。

14.如权利要求13所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其中该第一绝缘层以一流体化学气相沉积制作工艺填入该沟槽中。

15.如权利要求13所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，还包含对该第一绝缘层进行一化学机械研磨制作工艺及/或一回蚀刻制作工艺以界定出该凹部。

16.如权利要求13所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，还包含对该第二绝缘层进行一化学机械研磨制作工艺及/或一回蚀刻制作工艺使得该第二绝缘层的顶面低于周遭的该基底。

17.如权利要求13所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其中在该凹部的侧壁和底面上形成该缓冲层的步骤包含：

在该凹部中共形地形成该缓冲层。