[发明专利]非易失性存储器件和存储器系统及其编程方法和控制方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包含：

第一存储单元，被配置成存储第一数据样式；

第二存储单元，与第一存储单元相邻，且被配置成被使用编程电压编程；和

耦合编程控制单元，

该耦合编程控制单元被配置成执行用于验证第一存储单元是否被利用第一数据样式编程的验证操作，

所述验证操作给第一存储单元提供对应于第一数据样式的验证电压，并且

所述耦合编程控制单元被配置成当第一存储单元上的验证操作指示通过时结束对第二存储单元的编程，

其中在对第二存储单元编程之后，执行第一存储单元的验证操作而不验证第二存储单元。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，耦合编程控制单元被配置成当第一存储单元上的验证操作指示失败时继续对第二存储单元的编程。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包含：

存储器控制器，被连接到第一存储单元和第二存储单元，其中

第二存储单元是不具有从存储器控制器提供的数据样式的伪存储单元。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包含：

第一字线和第二字线，

其中，第一存储单元被连接到第一字线，并且第二存储单元被连接到第二字线。

5.如权利要求4所述的非易失性存储器件，其中，第一字线和第二字线彼此相邻。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包含：

第一位线和第二位线，

其中，第一存储单元被连接到第一位线，并且第二存储单元被连接到第二位线。

7.如权利要求6所述的非易失性存储器件，其中，第一位线和第二位线彼此不同。

8.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，第一数据样式具有多级数据样式的最高阈值电压。

9.一种编程非易失性存储器件的方法，包含：

对第一存储单元编程；

执行验证操作来验证第二存储单元是否被利用第一数据样式编程，所述验证操作给第二存储单元提供对应于第一数据样式的验证电压，其中第二存储单元与第一存储单元相邻；以及

当第二存储单元上的验证操作指示通过时，终止对第一存储单元的编程，

其中在对第一存储单元编程之后，执行第二存储单元的验证操作而不验证第一存储单元。

10.如权利要求9所述的方法，还包含：

当第二存储单元上的验证操作指示失败时，继续对第一存储单元的编程；和

把编程电压供应给第一存储单元，直到第二存储单元上的所述验证操作通过为止。

11.如权利要求9所述的方法，其中，第一数据样式具有多级数据样式的最高阈值电压。

12.如权利要求9所述的方法，其中，第一存储单元被连接到第一字线，并且第二存储单元被连接到第二字线。

13.如权利要求12所述的方法，其中，第一字线和第二字线彼此相邻。

14.如权利要求9所述的方法，其中，第一存储单元被连接到第一位线，并且第二存储单元被连接到第二位线。

15.如权利要求14所述的方法，其中，第一位线和第二位线彼此不同。