[发明专利]非易失性存储器的制造方法有效
| 申请号： | 201310020960.X | 申请日： | 2013-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103943571B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 廖修汉;曾彦霖;陈江宏;廖祐楷;蔡耀庭 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11517 | 分类号： | H01L27/11517;H01L27/11521;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 制造 方法 | ||
1.一种非易失性存储器的制造方法，其特征在于，所述非易失性存储器的制造方法包括：
提供一基底，所述基底包括一存储单元区及一周边区，所述基底具有多个隔离结构突出于所述基底的表面，且在所述多个隔离结构之间具有一介电层及位于所述介电层上的一第一掩膜层；
回刻蚀所述第一掩膜层，使所述第一掩膜层低于所述多个隔离结构；
在所述多个隔离结构及所述第一掩膜层上毯覆式形成一第二掩膜层；
选择性移除位于所述存储单元区的所述第二掩膜层及所述第一掩膜层；
移除位于所述周边区的所述第二掩膜层，留下位于所述周边区的所述第一掩膜层；
在位于所述存储单元区的所述多个隔离结构之间形成一导电层；以及
以位于所述周边区的所述第一掩膜层为研磨终止层，实施一化学机械研磨步骤。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，所述第二掩膜层为多晶硅。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，选择性移除位于所述存储单元区的所述第二掩膜层及所述第一掩膜层的步骤包括实施一微影及刻蚀步骤。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，形成所述第二掩膜层的步骤包括一化学气相沉积步骤。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，所述第一掩膜层包括氮化硅。
6.根据权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，所述多个隔离结构包括氧化硅。
7.根据权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，所述介电层包括氧化硅。
8.根据权利要求1所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，所述导电层包括多晶硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
