[发明专利]一种工业硅炉外精炼提纯的方法有效
| 申请号： | 201310020824.0 | 申请日： | 2013-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103058199A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 魏奎先;马文会;黄淑萍;谢克强;王统;周阳;伍继君;杨斌;刘大春;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 工业 硅炉外 精炼 提纯 方法 | ||
1.一种工业硅炉外精炼提纯的方法，其特征在于经过下列各步骤：
（1）先向抬包中持续通入压缩空气，再将矿热炉中纯度为98%的硅熔体释放到抬包中，同时利用等离子体对抬包内的硅水进行加热，其中等离子体的功率为60KW，并使工业硅熔体的温度保持在1600℃以上；
（2）待步骤（1）升温完毕后，向抬包中加精炼剂，并通入精炼气体，进行炉外吹气、造渣精炼；
（3）待步骤（2）精炼完毕后，进行渣硅分离，再进行浇注，即得到高纯度的工业硅。
2.根据权利要求1所述的工业硅炉外精炼提纯的方法，其特征在于：所述步骤（1）的等离子体为带有载流气体的等离子体，其载流气体为氩气、氢气、水蒸气中的一种或几种的混合物。
3.根据权利要求1所述的工业硅炉外精炼提纯的方法，其特征在于：所述步骤（1）的等离子体的加热是在抬包上方，直接对硅水表面加热，同时实现硅熔体的搅拌。
4.根据权利要求1所述的工业硅炉外精炼提纯的方法，其特征在于：所述步骤（2）的精炼剂为常规工业硅造渣精炼剂。
5.根据权利要求1或4所述的工业硅炉外精炼提纯的方法，其特征在于：精炼剂与硅熔体质量比为20：1～1：20。
6.根据权利要求1所述的工业硅炉外精炼提纯的方法，其特征在于：所述步骤（2）的精炼气体为常规工业硅吹气精炼气体。
7.根据权利要求1或6所述的工业硅炉外精炼提纯的方法，其特征在于：精炼气体的通入压力为1～20MPa，流量为0.5～20m3/h，通气时间为0.5～10h。
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