[发明专利]半导体装置无效
| 申请号: | 201310018017.5 | 申请日: | 2013-01-17 | 
| 公开(公告)号: | CN103219323A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 | 
| 发明(设计)人: | 谷口敏光 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 | 
| 主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/66 | 
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 刘晓迪 | 
| 地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:
半导体芯片,其具有多个器件焊盘;
划片TEG焊盘的切断残渣部,其被切割而残留在所述半导体芯片的端部,且从该端部被剥落;
接合线,其与所述器件焊盘连接;
所述切断残渣部不直接或者经由所述接合线使相邻的所述器件焊盘之间发生短路。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述器件焊盘被钝化膜覆盖,该钝化膜具有使该器件焊盘的一部分露出的开口部,所述划片TEG焊盘未被所述钝化膜覆盖。
3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述划片TEG焊盘由多个长方形焊盘构成,多个该长方形焊盘在分割为所述半导体芯片之前的半导体晶片的划片槽内向器件形成区域方向延伸而形成。
4.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,多个所述长方形焊盘经由在该长方形焊盘的下层层间绝缘膜中形成的通路孔与同一下层电极连接。
5.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述通路孔内埋设有插入电极。
6.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述划片TEG焊盘具有多个突出部,多个该突出部在分割为所述半导体芯片之前的所述半导体晶片的划片槽内向器件形成区域方向延伸。
7.如权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,所述突出部的一部分构成所述切断残渣部。
8.如权利要求3或7所述的半导体装置,其特征在于,所述切断残渣部的长度小于相邻的所述器件焊盘上的所述钝化膜开口部的端部彼此之间的间隔。
9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体芯片为功率类器件。
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