[发明专利]三维存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

一存取装置阵列；

多个图案化导电体层，彼此通过多个绝缘层分开，以形成该存取装置阵列，该多个图案化导电体层包括多个左侧导电体与多个右侧导电体；

一导电柱阵列，延伸穿过该多个图案化导电体层，在阵列中的多个柱体，是接触在该存取装置阵列中相对应的该多个存取装置，并定义出左侧界面区域与右侧界面区域，该多个左侧与右侧界面区域是设置在该多个柱体与相邻的左侧导电体与右侧导电体之间，且是在该多个图案化导电体层中对应的图案化导电体层上；以及

多个存储器元件，设置在该多个左侧界面区域与该多个右侧界面区域中，每该多个存储器元件包括一可编程存储器材料与一可擦除存储器材料。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，包括：

多个列译码电路(row decoding circuits)及多个行译码电路(columndecoding circuits)，耦接到该存取装置阵列，该存取装置阵列是设置在该导电柱阵列中，并用以选择一柱体；以及

多个左平面译码电路与多个右平面译码电路，耦接到在该多个存导电体层中的该多个左侧导电体与该多个右侧导电体，以开启一选定存储单元(selected cell)的电流，及关闭在一未选定存储单元(unselected cell)的电流，该选定存储单元是位于一选定的图案化导电体层的该左侧界面区与该右侧界面区域中。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中在该导电柱阵列的一柱体包括：

一导电体，是电性连接于一对应的存取装置；以及

一存储器材料层，是位于该导电体与该多个图案化导电体层之间，其中在每一该存储器元件的该可编程元件包括一有源区，设置在该多个左侧与右侧界面区域中的该存储器材料层上。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中在该存取装置阵列的一存取装置，包括：

一晶体管，具有一栅极、一第一端点及一第二端点；以及

该存取装置阵列包括一位线、一字线，该位线被耦接至该第一端点，该字线被耦接至该栅极，且其中该第二端点被耦接至在该导电柱阵列的一对应的柱体。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中在该存取装置阵列的一存取装置，包括：

一垂直晶体管，具有一第一源极/漏极端点，该端点被耦接至在该导体柱阵列中一相对应的导体柱；以及

该阵列，包括：

一源极线或一位线，被耦接至该垂直晶体管的该源极/漏极端点，以及

一字线，提供一环绕式栅极结构(surrounding gate structure)。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中在该存取装置阵列的该存取装置的该电极材料，包括一金属、一金属氮化物或一金属与金属氮化物的组合物，且该多个图案化导电体层，包括一金属及一过渡金属氧化物，该过渡金属氧化物是在该多个界面区中，且该过渡金属氧化物具有内建自我开关的特性。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中在该多个图案化导电体层中的该多个左侧导电体与该多个右侧导电体，是配置以接触到相对应的一左侧平面译码电路与右侧平面译码电路。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该存取装置阵列是位于该多个图案化导电体层的下面。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：

在每一层中的该多个左侧导电体与该多个右侧导电体，具有多个着陆区，该多个着陆区未被任何该多个左侧导电体与右侧导电体所层迭(overlaid)，该多个左侧导电体与右侧导电体是位于层迭的该多个图案化导电体层中；及，包括：

多条导线，延伸穿过该多个导电体层并接触于该多个着陆区；及

该多个左侧导电体与该多个右侧导电体，是设置在该多个图案化导电体层的上方，且连接到该多个导线；以及

该多个左侧平面译码电路与该多个右侧平面译码电路，耦接至该多个左侧导电体与该多个右侧导电体。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该多个存储器元件包括一渡金属氧化物，且该过渡金属氧化物具有内建自我开关的特征。