[发明专利]一种晶片变形检测系统及方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体技术领域，涉及一种晶片变形检测系统及方法。

背景技术

半导体生产过程中，为检验生产机台的可靠性，在生产前会消耗特定硅片来测试机台的稳定性和状况。这类特定硅片在使用后需经过特定工艺处理才能恢复到前期状况，才能循环使用，但在处理过程中，硅片会发生热变形等状况，如果此类硅片进入生产线会造成机台报警、晶片滑走等状况。

在没有有效的检测设备之前，晶片在做回收处理过程中，为防止存在热变形状况的晶片进入生产线，需要增加3次人工目检站点，这种方式不但造成大量人力资源的浪费，而且由于目检标准因人而异，还不可避免的发生遗漏问题。

随着半导体技术的不断发展以及与计算机技术的结合，针对上述问题得出了各种各样的解决方案，如申请号为200510036191.8的专利文献提出的基于图像处理的晶片检测系统，该系统包括基座、晶元盘和图像采集卡，其中基座上安装有X方向步进电机和Y方向步进电机，X方向步进电机和Y方向步进电机分别通过X方向传动丝杆和Y方向传动丝杆与晶元盘相连接，晶元盘上安装有镜头和光源，镜头通过支架与基座相连接，还通过CCD和数据线与PC机内的图像采集卡相连接，X方向步进电机和Y方向步进电机通过驱动板卡外接PC机。当晶元盘每移动一个晶片间距，CCD、镜头和光源采集晶片图像，并将采集信号通过图像采集卡传输给PC机进行图像处理。该系统通过采集晶片的图像获取晶片的信息，对图像进行检测获取晶元的检测结果。该方案虽然实现了对晶片的自动检测，但是图像的采集受背景光、环境光源以及其他环境因素影响较大，因此检测结果有一定的误差。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶片变形检测系统及方法，用于解决现有技术中变形晶片不易检测剔除的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶片变形检测系统及方法，其中所述晶片变形检测系统包括：承载平台、激光发生器、标准图形板；所述承载平台用以承载晶片；所述激光发生器设于所述承载平台承载的晶片的一侧，用以发射线状激光射线照射到所述承载平台承载的晶片表面上；所述标准图形板设于所述承载平台承载的晶片的另一侧，用以显现经所述晶片折射后的线状激光射线的投影中的直线是否发生变形。

优选地，所述激光发生器架设于所述承载平台上，所述标准图形板设于所述承载平台上与所述激光发生器正对的位置处。

优选地，所述激光发生器发射的线状激光射线的入射角为30～40度；所述线状激光射线为十字激光射线。

优选地，所述激光发生器架设于所述承载平台的一侧，所述标准图形板设于所述承载平台的另一侧且与所述激光发生器正对。

优选地，所述标准图形板上设有基准图形；当所述线性激光射线为十字激光射线时，所述基准图形为等距离横纵线。

所述检测方法包括：检测经晶片反射的线状激光射线的投影是否发生变形，若未发生变形则表示该晶片没有变形，否则表示该晶片已变形。

优选地，采用承载平台固定承载所述晶片；采用激光发生器发射所述线状激光射线；采用标准图形板显示经过反射的线性激光射线的投影中显示的线性激光线是否发生变形，若未发生变形则表示该晶片没有变形，否则表示该晶片已变形。

优选地，所述线状激光射线为十字激光射线，若所述十字激光射线的投影中显示的两条直线垂直，则表示该晶片没有变形；若投影中的两条直线不垂直，则表示该晶片已变形。

优选地，所述标准图形板上设有能够直观衡量投影中的直线是否发生变形的基准图形；当所述线性激光射线为十字激光射线时，所述基准图形为等距离横纵线。

优选地，所述线性激光射线的入射角根据所述标准图形板与所述晶片的距离变化而调节，所述入射角大于0度小于90度。

如上所述，本发明所述的晶片变形检测系统及方法，具有以下有益效果：本发明利用线状激光射线经过微变形的晶片表面反射时，在微变形区域的反射角度会发生变化，从而导致反射后得到的线状镜像有明显变化的原理实现了对晶片变形的检测，该检测方式操作简单，准确率达到95%以上，大幅度节省劳动成本，缩短了检测时间，提高了检测流程的工作效率。

附图说明

图1a为本发明所述的晶片变形检测系统的一种结构示意图。

图1b为本发明所述的十字激光射线的投影未发生变形的结构示意图。

图1c为本发明所述的十字激光射线的投影发生变形的结构示意图。

图2a为本发明所述的晶片变形检测系统的另一种结构示意图。

图2b为本发明所述的十字激光射线的投影未发生变形的结构示意图。