[发明专利]一种晶片变形检测系统及方法在审
| 申请号： | 201310015071.4 | 申请日： | 2013-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN103925886A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张恒辉;汤敬计;林佳佳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/16 | 分类号： | G01B11/16 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 变形 检测 系统 方法 | ||
1.一种晶片变形检测系统，其特征在于，所述晶片变形检测系统包括：
承载平台，用以承载晶片；
激光发生器，设于所述承载平台承载的晶片的一侧，用以发射线状激光射线照射到所述承载平台承载的晶片表面上；
标准图形板，设于所述承载平台承载的晶片的另一侧，用以显现经所述晶片折射后的线状激光射线的投影中的直线是否发生变形。
2.根据权利要求1所述的晶片变形检测系统，其特征在于：所述激光发生器架设于所述承载平台上，所述标准图形板设于所述承载平台上与所述激光发生器正对的位置处。
3.根据权利要求2所述的晶片变形检测系统，其特征在于：所述激光发生器发射的线状激光射线的入射角为30～40度；所述线状激光射线为十字激光射线。
4.根据权利要求1所述的晶片变形检测系统，其特征在于：所述激光发生器架设于所述承载平台的一侧，所述标准图形板设于所述承载平台的另一侧且与所述激光发生器正对。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的晶片变形检测系统，其特征在于：所述标准图形板上设有基准图形；当所述线性激光射线为十字激光射线时，所述基准图形为等距离横纵线。
6.一种晶片变形检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：
检测经晶片反射的线状激光射线的投影中的直线是否发生变形，若未发生变形则表示该晶片没有变形，否则表示该晶片已变形。
7.根据权利要求6所述的晶片变形检测方法，其特征在于：
采用承载平台固定承载所述晶片；
采用激光发生器发射所述线状激光射线；
采用标准图形板显示经过反射的线性激光射线的投影中显示的线性激光线是否发生变形，若未发生变形则表示该晶片没有变形，否则表示该晶片已变形。
8.根据权利要求6或7所述的晶片变形检测方法，其特征在于：所述线状激光射线为十字激光射线，若所述十字激光射线的投影中显示的两条直线垂直，则表示该晶片没有变形；若投影中的两条直线不垂直，则表示该晶片已变形。
9.根据权利要求6所述的晶片变形检测方法，其特征在于：所述标准图形板上设有能够直观衡量投影中的直线是否发生变形的基准图形；当所述线性激光射线为十字激光射线时，所述基准图形为等距离横纵线。
10.根据权利要求6所述的晶片变形检测方法，其特征在于：所述线性激光射线的入射角根据所述标准图形板与所述晶片的距离变化而调节，所述入射角大于0度小于90度。
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