[发明专利]覆盖预测的方法

说明书

技术领域

本发明一般地涉及半导体技术领域，更具体地来说，涉及半导体器件的图案化方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业已经经历了指数式增长。IC材料和设计方面的技术进步已经制造了多代IC，每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(即，单位芯片面积上互连器件的数量)通常增加，而几何尺寸(即，使用制造工艺可以制造的最小部件(或线路))减小。这种逐渐缩小的工艺是包括更精确的光刻的多种工艺改变和改进的结果。这种逐渐缩小也增加了处理和制造IC的复杂性，对于这些要被实现的进步，需要IC处理和制造方面的类似发展。

随着部件变得越来越小以及图案化技术变得越来越精确，其上制造部件的衬底的形貌变得越来越重要。例如，如果半导体晶圆的形貌变成非平面的或者复杂的，则结果会对光刻曝光工具的对准性能产生负面影响。而且，结果会对抗蚀图案对内嵌在半导体晶圆中的材料部件的覆盖产生负面影响。因此，需要一种方法来提高用于曝光诸如半导体晶圆的衬底的图案化工艺。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种形成抗蚀图案的方法，所述方法包括：接收衬底，所述衬底具有内嵌在所述衬底中的材料部件，其中，接收所述衬底包括接收形成所述材料部件时所生成的第一水准数据和第一覆盖数据；在所述衬底上沉积抗蚀膜；以及使用预测的覆盖校正数据对所述抗蚀膜进行曝光，以形成覆盖所述衬底上的所述材料部件的抗蚀图案，其中，使用所述预测的覆盖校正数据包括生成第二水准数据并使用所述第一水准数据、所述第一覆盖数据和所述第二水准数据计算所述预测的覆盖校正数据。

该方法进一步包括：对曝光的抗蚀膜进行显影。

该方法，进一步包括：进行所述第一覆盖数据的覆盖测量。

在该方法中，计算所述预测的覆盖校正数据包括计算所述预测的覆盖校正数据的区域间校正数据。

该方法进一步包括：使用所述第一水准数据和所述第二水准数据之间的水准差值数据来修正所述区域间校正数据。

该方法进一步包括：使用所述水准差值数据计算Z高度图。

在该方法中，计算所述预测的覆盖校正数据包括计算所述预测的覆盖校正数据的区域内校正数据。

该方法进一步包括：使用所述第一水准数据和所述第二水准数据之间的水准差值数据修正所述区域内校正数据。

该方法进一步包括：使用所述水准差值数据计算Z高度图。

根据本发明的另一方面，提供了一种形成抗蚀图案的方法，所述方法包括：接收衬底，所述衬底具有内嵌在所述衬底中的材料部件，其中，接收所述衬底包括接收形成与所述衬底上的所述材料部件相关的第一抗蚀图案时所生成的第一水准数据和第一覆盖数据；在所述衬底上沉积抗蚀膜；以及使用预测的覆盖校正数据，根据一图案对所述抗蚀膜进行曝光，以形成覆盖所述衬底上的所述材料部件的第二抗蚀图案，其中，使用所述预测的覆盖校正数据包括生成第二水准数据并使用所述第一水准数据、所述第一覆盖数据和所述第二水准数据计算所述预测的覆盖校正数据。

该方法进一步包括：进行覆盖测量。

在该方法中，计算所述预测的覆盖校正数据包括使用所述第一覆盖数据计算所述预测的覆盖校正数据的区域间校正数据。

该方法进一步包括：使用所述第一水准数据和所述第二水准数据之间的水准差值数据修正所述区域间校正数据。

该方法进一步包括：使用所述水准差值数据计算Z高度图。

在该方法中，计算所述预测的覆盖校正数据包括使用所述第一覆盖数据计算所述预测的覆盖校正数据的区域内校正数据。

该方法进一步包括：使用所述第一水准数据和所述第二水准数据之间的水准差值数据修正所述区域内校正数据。

该方法进一步包括：使用所述水准差值数据计算Z高度图。

根据本发明的又一方面，提供了一种图案化衬底的方法，所述方法包括：对所述衬底上的第一图案进行曝光并获得第一水准数据；确定第一覆盖数据；通过所述第一图案处理所述衬底；将处理过的衬底与第二图案对准并获得第二水准数据；根据所述第二水准数据和所述第一覆盖数据预测第二覆盖数据；以及使用所述第二覆盖数据对所述衬底上的所述第二图案进行曝光。

在该方法中，所述第一水准数据和所述第二水准数据是与所述衬底的顶面相对应的z高度图。

在该方法中，所述衬底是涂覆有抗蚀剂的晶圆。

附图说明