[发明专利]覆盖预测的方法有效
申请号: | 201310014649.4 | 申请日: | 2013-01-15 |
公开(公告)号: | CN103779188B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 陈立锐;梁辅杰;谢弘璋 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 覆盖 预测 方法 | ||
1.一种形成抗蚀图案的方法,所述方法包括:
接收衬底,所述衬底具有内嵌在所述衬底中的材料部件,其中,接收所述衬底包括接收与第一光刻胶膜相关的第一水准数据和与图案化的所述第一光刻胶膜相关的第一覆盖数据,其中,使用所述图案化的第一光刻胶膜形成所述材料部件;
在所述衬底上沉积第二光刻胶膜;
获得与所述第二光刻胶膜相关的第二水准数据;以及
使用预测的覆盖校正数据对所述第二光刻胶膜进行曝光,以形成覆盖所述衬底上的所述材料部件的抗蚀图案,其中,基于所述第一水准数据、所述第一覆盖数据和所述第二水准数据确定所述预测的覆盖校正数据,其中,所述预测覆盖校正数据导致所述第一水准数据和所述第二水准数据之间的水准差值数据的结果。
2.根据权利要求1所述的形成抗蚀图案的方法,进一步包括:对曝光的第二光刻胶膜进行显影。
3.根据权利要求1所述的形成抗蚀图案的方法,进一步包括:进行所述第一覆盖数据的覆盖测量。
4.根据权利要求1所述的形成抗蚀图案的方法,其中,计算所述预测的覆盖校正数据包括计算所述预测的覆盖校正数据的区域间校正数据。
5.根据权利要求4所述的形成抗蚀图案的方法,进一步包括:使用所述第一水准数据和所述第二水准数据之间的所述水准差值数据来修正所述区域间校正数据。
6.根据权利要求5所述的形成抗蚀图案的方法,进一步包括:使用所述水准差值数据计算Z高度图。
7.根据权利要求1所述的形成抗蚀图案的方法,其中,计算所述预测的覆盖校正数据包括计算所述预测的覆盖校正数据的区域内校正数据。
8.根据权利要求7所述的形成抗蚀图案的方法,进一步包括:使用所述第一水准数据和所述第二水准数据之间的所述水准差值数据修正所述区域内校正数据。
9.根据权利要求8所述的形成抗蚀图案的方法,进一步包括:使用所述水准差值数据计算Z高度图。
10.一种形成抗蚀图案的方法,所述方法包括:
接收衬底,所述衬底具有内嵌在所述衬底中的材料部件,其中,接收所述衬底包括接收与第一抗蚀膜相关的第一水准数据和形成所述第一抗蚀膜的第一抗蚀图案时所生成的第一覆盖数据,其中,使用所述第一抗蚀图案在所述衬底上形成所述材料部件;
在所述衬底上沉积第二抗蚀膜;
测量所述第二抗蚀膜以获得第二水准数据;以及
使用预测的覆盖校正数据,根据一图案对所述第二抗蚀膜进行曝光,以形成覆盖所述衬底上的所述材料部件的第二抗蚀图案,其中,基于所述第一水准数据、所述第一覆盖数据和所述第二水准数据确定所述预测的覆盖校正数据,其中,基于所述第一水准数据和所述第二水准数据之间的水准差值数据的结果进一步确定所述预测覆盖校正数据。
11.根据权利要求10所述的形成抗蚀图案的方法,进一步包括:进行覆盖测量以获得第一覆盖数据。
12.根据权利要求10所述的形成抗蚀图案的方法,其中,计算所述预测的覆盖校正数据包括使用所述第一覆盖数据计算所述预测的覆盖校正数据的区域间校正数据。
13.根据权利要求12所述的形成抗蚀图案的方法,进一步包括:使用所述第一水准数据和所述第二水准数据之间的所述水准差值数据修正所述区域间校正数据。
14.根据权利要求13所述的形成抗蚀图案的方法,进一步包括:使用所述水准差值数据计算Z高度图。
15.根据权利要求10所述的形成抗蚀图案的方法,其中,计算所述预测的覆盖校正数据包括使用所述第一覆盖数据计算所述预测的覆盖校正数据的区域内校正数据。
16.根据权利要求15所述的形成抗蚀图案的方法,进一步包括:使用所述第一水准数据和所述第二水准数据之间的所述水准差值数据修正所述区域内校正数据。
17.根据权利要求16所述的形成抗蚀图案的方法,进一步包括:使用所述水准差值数据计算Z高度图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造