[发明专利]一种晶圆背面减薄方法有效
| 申请号： | 201310012316.8 | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103077889A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李平 | 申请（专利权）人： | 陆伟 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 200124 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 背面 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆背面减薄方法，其特征在于包括以下步骤，
步骤一：使用强酸对晶圆背面的硅衬底进行湿蚀刻，一旦外延层露出，则停止蚀刻；
步骤二：使用选择性酸对晶圆背面的硅衬底和露出的外延层继续湿蚀刻至外延层完全露出。
2.根据权利要求1所述一种晶圆背面减薄方法，其特征在于，所述步骤一中所述的强酸为氢氟酸、硝酸、磷酸和硫酸的混合物。
3.根据权利要求1或2所述一种晶圆背面减薄方法，其特征在于，所述步骤一中使用强酸对晶圆背面的硅衬底进行湿蚀刻的速率为8-12微米/分钟。
4.根据权利要求1或2所述一种晶圆背面减薄方法，其特征在于，所述步骤二中所述的选择性酸为氢氟酸、硝酸和醋酸的混合物。
5.根据权利要求4所述一种晶圆背面减薄方法，其特征在于，所述步骤二中使用选择性酸对晶圆背面的硅衬底进行湿蚀刻的速率为8-12微米/分钟，而对露出的外延层湿蚀刻的速率为0.04-0.06微米/分钟。
6.根据权利要求1或2所述一种晶圆背面减薄方法，其特征在于，所述步骤二中使用选择性酸对晶圆背面的硅衬底进行湿蚀刻的速率为8-10微米/分钟，而对露出的外延层湿蚀刻的速率为0.04-0.06微米/分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
