[发明专利]半导体封装件以及用于制造该半导体封装件的方法有效
申请号: | 201310012291.1 | 申请日: | 2013-01-11 |
公开(公告)号: | CN103208462A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 乌多·奥塞尔勒基纳;卡斯滕·冯科布林斯基;西格丽德·瓦布尼格;罗伯特·格伦贝格;福尔克尔·斯特鲁特兹 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/04 | 分类号: | H01L23/04;H01L21/48 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;李静 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 以及 用于 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
第一隔离容器,具有第一凹槽,从而形成内薄膜部和外边缘部,所述边缘部比所述薄膜部厚;
第一半导体芯片,设置在所述第一凹槽中;以及
第一底板,设置在所述第一隔离容器的所述薄膜部下方。
2.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述第一隔离容器包括玻璃。
3.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述第一隔离容器包括选自由印刷电路板材料、烧结陶瓷、和石英组成的组的材料。
4.根据权利要求1所述的封装件,进一步包括:顶部导电层,设置在所述第一隔离容器的顶表面上并位于所述第一半导体芯片与所述第一隔离容器之间;以及连接部,将顶部导电层耦接至所述第一半导体芯片上的电势节点。
5.根据权利要求4所述的封装件,进一步地包括设置在所述顶部导电层与所述第一半导体芯片之间的粘合层。
6.根据权利要求5所述的封装件,其中,所述粘合层是导电的。
7.根据权利要求4所述的封装件,其中,所述顶部导电层被设置在所述薄膜部的顶表面上但不设置在所述边缘部的顶表面上。
8.根据权利要求4所述的封装件,其中,所述顶部导电层被设置在所述薄膜部的顶表面和所述边缘部的顶表面上。
9.根据权利要求4所述的封装件,其中,所述顶部导电层被设置在所述薄膜部的顶表面和所述第一凹槽的侧壁上,但不设置在所述边缘部的顶表面上。
10.根据权利要求1所述的封装件,进一步包括:底部导电层,设置在所述隔离容器的底表面上并位于所述第一底板与所述第一隔离容器之间;以及连接部,将所述底部导电层耦接至所述第一底板上的底板电势节点。
11.根据权利要求1所述的封装件,进一步包括封装材料,所述封装材料设置在所述第一隔离容器、所述第一半导体芯片、以及所述第一底板周围。
12.根据权利要求11所述的封装件,其中,所述模制化合物中的一部分被设置在所述第一凹槽内并位于所述第一半导体芯片与所述第一隔离容器之间,其中,所述封装材料包括模制化合物。
13.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述第一隔离容器的所述第一凹槽具有碗状侧壁。
14.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述第一隔离容器的所述第一凹槽具有梯形侧壁,其中,所述第一隔离容器的所述第一凹槽的侧壁具有被倒圆的角部。
15.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述半导体芯片包括传感器。
16.根据权利要求1所述的封装件,其中,所述第一隔离容器在外侧壁上具有阶梯或沟道。
17.根据权利要求1所述的封装件,进一步包括:
第二隔离容器,具有第二凹槽;
第二半导体芯片,设置在所述第二凹槽中;以及
第二底板,设置在所述第二隔离容器下方。
18.根据权利要求1所述的封装件,进一步包括:
第二凹槽,设置在所述第一隔离容器中;
第二半导体芯片,设置在所述第二凹槽中;以及
第二底板,设置在所述第一隔离容器下方。
19.根据权利要求18所述的封装件,其中,所述第一底板被耦接至第一电流轨道节点,并且其中,所述第二底板被耦接至不同于所述第一电流轨道的电流轨道节点。
20.根据权利要求1所述的封装件,进一步包括耦接至所述第一半导体芯片的电路板。
21.一种半导体封装件,包括:
玻璃容器,具有凹槽,从而形成内部薄膜部和外边缘部,所述边缘部比所述薄膜部厚至少三倍;
传感器芯片,设置在所述凹槽中;以及
底板,设置在所述玻璃容器的所述薄膜部下方。
22.根据权利要求21所述的封装件,其中,所述第一隔离容器的所述凹槽具有碗状侧壁。
23.根据权利要求21所述的封装件,进一步包括封装材料,所述封装材料设置在所述玻璃容器、所述传感器芯片、以及所述底板周围。
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