[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD，Thin Film TransistorLiquid Crystal Display)阵列基板技术，尤其涉及一种防止底层金属过刻的阵列基板及其制造方法。

背景技术

目前，以TFT-LCD为代表的液晶显示已成为一种重要的平板显示方式。根据驱动液晶的电场方向来看，TFT-LCD分为垂直电场型和水平电场型，其中，垂直电场型TFT-LCD包括：扭曲向列(TwistNematic，TN)型TFT-LCD；水平电场型TFT-LCD包括：FFS型TFT-LCD、共平面切换(In-PlaneSwitching，IPS)型TFT-LCD。

TFT-LCD阵列基板制造过程中，在形成数据线之后涂敷保护层7，如图1所示，保护层7将显示区域(即d区域)全部覆盖，不仅在公共电极过孔区域(即a区域)形成树脂过孔，而且在周边的防静电释放(ESD，Electro StaticDischarge)区域(即b区域)、芯片绑定(IC bonding)区域(即c区域)也要形成树脂过孔。由于树脂是平坦化材料，涂敷和固化之后，整体呈现平坦化形貌，那么，如果树脂底层结构起伏较大，就会造成树脂厚度的差异，如图1中a、b、c、d四个区域所示。

由于树脂需要干法刻蚀，b区域的树脂最薄，可以在最短的时间内刻蚀完，而a、c区域则需要较长的刻蚀时间。假设，树脂的刻蚀速度为x，且a、b、c三个区域的厚度分别用T_a、T_b、T_c表示，那么，三个区域的刻蚀时间可以表示为T_a/x≌T_c/x＞T_b/x；当b区域刻蚀结束时，a、c区域还在进行树脂的刻蚀，如此，会使b区域的底层数据线4受到很大的损伤。假设，数据线的刻蚀速率是y的话，那么，数据线的过刻量可以表示为(T_a/x-T_b/x)*y；由于数据线本身比较薄，过刻很容易造成数据线缺失的不良结果，进而会导致产品的良品率降低。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种阵列基板及其制造方法，能够较好地避免底层金属的过刻现象。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明提供一种阵列基板，包括周边布线区，所述周边布线区包括防静电释放区域，所述防静电释放区域包括基板，形成在所述基板上的栅线、栅绝缘层、数据线、保护层和透明电极；其中，

所述栅绝缘层上形成有第一过孔，所述保护层上与所述第一过孔对应的位置上形成有第二过孔，所述栅线、数据线和透明电极通过所述第一过孔和第二过孔连接。

具体的，所述透明电极包括第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极与所述第二透明电极之间形成有钝化层，所述钝化层上与所述第一过孔对应的位置上形成有第三过孔。

具体的，所述第一透明电极与第二透明电极中位于上层的透明电极为狭缝电极。

具体的，所述保护层采用的材料为有机树脂。

具体的，所述有机树脂为以Si-C或Si-O为主链的有机树脂中的一种、或两种的混合。

具体的，所述阵列基板还包括公共电极过孔区域，所述公共电极过孔区域包括形成在所述基板上的栅线、栅绝缘层、栅线保护层、保护层和透明电极；其中，

所述栅绝缘层上形成有第四过孔，所述保护层上与所述第四过孔对应的位置上形成有第五过孔，所述栅线、栅线保护层和透明电极通过所述第四过孔和第五过孔连接。

具体的，所述阵列基板还包括芯片绑定区域，所述芯片绑定区域包括形成在所述基板上的栅绝缘层、数据线、保护层和透明电极；其中，

所述保护层上形成有第七过孔，所述数据线和透明电极通过所述第七过孔连接。

本发明还提供一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括周边布线区，所述周边布线区包括防静电释放区域，其中，所述防静电释放区域的制造方法包括：在基板上形成栅线、栅绝缘层、数据线、保护层和透明电极，所述方法还包括：在所述栅绝缘层上刻蚀出第一过孔；在所述保护层上与所述第一过孔对应的位置上刻蚀出第二过孔，所述栅线、数据线和透明电极通过所述第一过孔和第二过孔连接。

具体的，所述透明电极包括第一透明电极和第二透明电极；所述方法还包括：在所述第一透明电极与所述第二透明电极之间形成钝化层，在所述钝化层上与所述第一过孔对应的位置上刻蚀出第三过孔。

具体的，所述第一透明电极与第二透明电极中位于上层的透明电极为狭缝电极。